[发明专利]同步整流自驱动电路和电路的分压方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种同步整流自驱动电路和电路的分压方法。

背景技术

整流驱动技术中，常用到驱动MOSFET来驱动整流管或续流管，而当整流驱动模块输出电压较低时，为了能够给辅助电路提供足够辅助电压源会用到倍压电路。倍压电路可以把较低的交流电压，用耐压较高的整流二极管和电容器，整出一个较高的直流电压，从而在电压较低时为辅助电路提供足够的电压源。

如图1所示，现有技术中提供的一种倍压电路，绕组N2、倍压电容C1、二极管D2和D3组成倍压电路。倍压电路的绕组和驱动绕组为同一绕组N2，倍压电容C1直接接在驱动绕组N2上，通过倍压电容C1、二极管D2和D3将较低的交流电压整出一个较高的直流电压，从而在电压较低时为Q3提供足够的电压源。

通常为了能给MOS管提供足够的驱动电压，会通过增加驱动绕组N2的匝数的方式来解决，例如，将N匝驱动绕组增加到N+M匝。但当Q1导通时，且驱动绕组N2电压同名端为正，异名端为负（上正下负）时，异名端对地产生一个负压，该负压直接加在驱动MOSFET Q4的漏极，由于这个负压的存在，在增加驱动绕组匝数的情况下，有时会导致驱动MOSFET Q4的栅级VGS电压应力超规格。

发明内容

为了解决驱动MOSFET Q4的栅级VGS电压应力超规格的问题，本发明实施例提供了一种同步整流自驱动电路和电路的分压方法。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种同步整流自驱动电路，包括第一驱动MOSFET管、第二驱动MOSFET管和倍压电路，所述倍压电路包括辅助绕组，第一电容、第一二极管和第二二极管，所述辅助绕组的同名端连接所述第一驱动MOSFET管的栅极，所述辅助绕组的异名端连接所述第一电容的一端和所述第二驱动MOSFET管的漏极，所述第一电容的另一端连接所述第一二极管和所述第二二极管，所述第一二极管的另一端接地，所述第二二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连，所述同步整流自驱动电路还包括：第二电容和第三二极管，其中，所述第二电容串联在所述辅助绕组的异名端和所述第一电容之间，所述第三二极管与所述第二电容并联，使得所述第二电容和所述第三二极管的一端与所述辅助绕组的异名端相连，所述第二电容和所述第三二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连；

当所述第一驱动MOSFET管导通，且所述辅助绕组的同名端为正，所述辅助绕组的异名端为负时，所述第一电容和所述第二电容用于对所述驱动MOSFET管漏极上产生的负压进行分压。

在第一方面的第一种可能的实施方式中，所述驱动MOSFET管漏极上产生的负压值为所述辅助绕组异名端对地产生的负压*所述第二电容的容值/（所述第一电容的容值+所述第二电容的容值）。

第二方面，提供了一种对上述的同步整流自驱动电路进行分压的方法，包括第一驱动MOSFET管、第二驱动MOSFET管和倍压电路，所述倍压电路包括辅助绕组，第一电容、第一二极管和第二二极管，所述辅助绕组的同名端连接所述第一驱动MOSFET管的栅极，所述辅助绕组的异名端连接所述第一电容的一端和所述第二驱动MOSFET管的漏极，所述第一电容的另一端连接所述第一二极管和所述第二二极管，所述第一二极管的另一端接地，所述第二二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连，所述同步整流自驱动电路还包括：第二电容和第三二极管，其中，所述第二电容串联在所述辅助绕组的异名端和所述第一电容之间，所述第三二极管与所述第二电容并联，使得所述第二电容和所述第三二极管的一端与所述辅助绕组的异名端相连，所述第二电容和所述第三二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连，所述方法包括：

当所述第一驱动MOSFET管导通，且所述辅助绕组的同名端为正，所述辅助绕组的异名端为负时，所述第一电容和所述第二电容对所述驱动MOSFET管漏极上产生的负压进行分压。

在第二方面的第一种可能的实施方式中，所述驱动MOSFET管漏极上产生的负压值为所述辅助绕组异名端对地产生的负压*所述第二电容的容值/（所述第一电容的容值+所述第二电容的容值）。