[发明专利]一种纳米钨粉的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310236444.0 申请日: 2013-06-17
公开(公告)号: CN103302308A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 唐建成;叶楠;卓海鸥 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: B22F9/26 分类号: B22F9/26
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 施秀瑾
地址: 330031 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属硬质合金材料及制备领域。

背景技术

纳米晶WC-Co(碳化钨-钴)硬质合金因预期兼有高硬度和高强度(即兼有高耐磨性和高韧性)的特性而成为硬质合金的发展方向。制约纳米晶WC-Co(碳化钨-钴)硬质合金发展的一个难题是纳米钨粉制备上的困难。

纳米钨粉制备上的困难实际上就是控制氧化钨“挥发—沉积”上的困难。目前,钨粉制备方法主要有氧化钨氢还原和氧化钨碳还原两种,在还原过程中钨粉会通过氧化钨的挥发—沉积机制长大,这两种方法都不能制备出纳米钨粉。氧化钨氢还原制备钨粉的过程中有大量的水蒸汽产生,水蒸汽会加速氧化钨的挥发,最终得不到纳米钨粉。氧化钨碳还原制备钨粉的过程中,尽管可以消除水蒸汽的影响,但碳还原所需要的的高温也会加速氧化钨的挥发,所以也得不到纳米钨粉。因此,制备纳米钨粉的关键是抑制氧化钨的挥发。

发明内容

本发明的目的是针对现有制备工艺上的不足,提供一种新型纳米钨粉的制备方法。

为解决上述问题,本发明的技术方案是:在氢还原法制备钨粉的过程中加入少量的碳和氧化钨挥发抑制剂,利用碳与水蒸汽反应降低水蒸汽对氧化钨挥发的影响,以及抑制剂对氧化钨挥发的抑制作用,最终会显著降低钨粉的粒度。

本发明采用的制备步骤如下。

(1) 配料:采用水溶液配料的方法制备前驱体粉末。将一定量的偏钨酸铵、硝酸铬和水溶性碳源物质:葡萄糖或蔗糖或水溶性酚醛树脂(碳源),溶于加热的去离子水中,电动搅拌使原料充分混合。其中水溶性碳源物质的重量百分比为10~30%,硝酸铬为0.5~2%,去离子水的温度≥70℃,以保证混料均匀。原料混合均匀后采用喷雾干燥的方法制备出还原要用的前驱体粉末。

(2) 还原:将步骤(1)中制得的前驱体粉末放入管式气氛炉中进行碳辅助氢还原,还原温度为710~850oC,升温速率10~15oC/min,时间为2~5h。还原结束后,在粉末出炉前用惰性气体进行钝化处理。

采用上述碳辅助氢还原法制备出的钨粉粒径为40~70nm,而且团聚并不严重,经破碎后可得到无团聚的纳米钨粉。还原后的尾气是水煤气,尾气较少时可以直接烧掉,尾气量较大时,可以收集起来作为燃料使用,并不会对环境造成污染。因此采用碳辅助氢还原法来制备钨粉可以有效地推进纳米晶WC-Co硬质合金发展。

附图说明

图1为实施例1制备出的纳米钨粉的X射线衍射谱。

图2为实施例1制备出的纳米钨粉的TEM照片。

具体实施方式

本发明将通过以下实施例作进一步说明,但本发明的保护范围不限于此。

实施例1。

称取偏钨酸铵180g、无水葡萄糖20g、硝酸铬1.5g,溶于80℃的去离子水中,待原料充分混合后,采用喷雾干燥的办法制备出还原所需的前驱体。将前驱体粉末放入管式气氛炉中,通入氢气进行还原,还原温度为780℃,升温速率10oC/min,时间为2h。还原结束后,在粉末出炉前改通氩气30min进行钝化处理。所得粉末为纳米级钨粉,其X射线衍射图谱和透射电镜照片分别见附图1和2,纳米钨粉的粒径为44nm。

实施例2。

称取偏钨酸铵180g、无水葡萄糖20g、硝酸铬1.5g,溶于80℃的去离子水中,待原料充分混合后,采用喷雾干燥的办法制备出还原所需的前驱体。将前驱体粉末放入管式气氛炉中,通入氢气进行还原,还原温度为800℃,升温速率15oC/min,时间为3h。还原结束后,在粉末出炉前改通氩气30min进行钝化处理。所得的纳米钨粉的粒径为57nm。

实施例3。

称取偏钨酸铵170g、无水葡萄糖30g、硝酸铬2.5g,溶于80℃的去离子水中,待原料充分混合后,采用喷雾干燥的办法制备出还原所需的前驱体。将前驱体粉末放入管式气氛炉中,通入氢气进行还原,还原温度为780℃,升温速率10oC/min,时间为2h。还原结束后,在粉末出炉前改通氩气30min进行钝化处理。所得的纳米钨粉的粒径为50nm。

实施例4。

称取偏钨酸铵170g、无水葡萄糖30g、硝酸铬2.5g,溶于80℃的去离子水中,待原料充分混合后,采用喷雾干燥的办法制备出还原所需的前驱体。将前驱体粉末放入管式气氛炉中,通入氢气进行还原,还原温度为800℃,时间为3h。还原结束后,在粉末出炉前改通氩气30min进行钝化处理。所得的纳米钨粉的粒径为68nm。

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