[发明专利]光学临近效应修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学临近效应修正方法。

背景技术

在半导体制程中，为将集成电路（IC，Integrated Circuit）的电路图案转移至半导体芯片上，需要将集成电路的电路图案设计为掩膜版图案，再将该掩膜版图案从掩膜版表面转移至半导体芯片。

然而随着集成电路特征尺寸持续缩小，以及曝光机台的分辨率极限的影响，在对高密度排列的掩膜版图案进行曝光制程以进行图案转移时，便很容易产生光学临近效应（OPE，Optical Proximity Effect）。例如直角转角圆形化（Right-angled corner rounded）、直线末端紧缩（Line End Shortened）以及直线线宽增加/缩减（Line Width Increase/Decrease）等都是常见的光学临近效应导致的掩膜版图形转化缺陷。

在现有光刻工艺中，为了克服上述问题，需要对光掩膜版图形进行预先的光学临近修正(Optical Proximity Correction，简称OPC)，来弥补由光学系统的有限分辨率造成的光学临近效应。在传统集成电路工艺中，对光掩膜版图形进行光学临近效应修正的流程图如图1所示，其步骤包括，提供原始设计图形数据；OPC模型建立；使用OPC模型对原始设计图形数据进行修正；得出最终的OPC图形数据。

然而，随着集成电路特征尺寸持续缩小，曝光图形尺寸中包括较大尺寸图形以及较小尺寸图形，在对原始设计图形数据进行OPC模型建立时，对较小尺寸图形进行建模处理时需要用到更多的内核复杂模型，随着尺寸图形越小，需要的内核复杂模型就越多，OPC修正计算时间也就越长。

当OPC运算需要更多时间时，也就影响了项目流片(tape-out)的周期时间。那么如何提高OPC资源合理的运用，减少OPC运算的时间，便成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光学临近效应修正方法，减少光学临近效应修正模型建立的时间。

为了实现上述目的，本发明提出一种光学临近效应修正方法，包括步骤：

提供原始设计图形数据；

将所述原始设计图形数据分为第一类尺寸图形和第二类尺寸图形，所述第一类尺寸图形的尺寸大于所述第二类尺寸图形的尺寸；

使用第一方法对所述第一类尺寸图形进行OPC建模处理，得到第一类尺寸图形OPC模型；

使用第二方法对所述第二类尺寸图形进行OPC建模处理，得到第二类尺寸图形OPC模型；

将所述第一类尺寸图形OPC模型和第二类尺寸图形OPC模型进行整合，得到混合仿真OPC模型。

进一步的，所述第一方法为使用内核简单矩阵对所述第一类尺寸图形进行OPC建模处理。

进一步的，所述内核简单矩阵的个数小于等于10个。

进一步的，所述第二方法为使用内核复杂矩阵对所述第二类尺寸图形进行OPC建模处理。

进一步的，所述内核复杂矩阵的个数大于等于15个。

进一步的，所述第一类尺寸图形的尺寸大于等于300nm。

进一步的，所述第二类尺寸图形的尺寸小于300nm。

进一步的，在将所述第一类尺寸图形OPC模型和第二类尺寸图形OPC模型进行整合，得到混合仿真OPC模型之后，对原始设计图形数据进行基于混合仿真模型OPC修正处理。

与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：将原始设计图形数据进行分类，第一类尺寸图形的尺寸较大，第二类尺寸图形的尺寸较小，采用不同方法分别对第一类尺寸图形以及第二类尺寸图形进行处理，从而能够缩短光学临近效应修正的时间，增强了光学临近效应修正软件和硬件资源的灵活运用性。

附图说明

图1为现有技术中光学临近效应修正方法的流程图；

图2为本发明一实施例中光学临近效应修正方法的流程图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的光学临近效应修正方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图2，一种光学临近效应修正方法，包括步骤：

提供原始设计图形数据；

所述原始设计图形数据则是根据半导体制造工艺要求设计出的版图数据；进行生产半导体时则是根据所述原始设计图形来相应的生产出半导体晶圆。