[发明专利]柔性掩膜板及其制备方法

说明书

【技术领域】

本发明属于电子产品及其微纳米制造技术领域，特别涉及一种柔性掩膜板及其制备方法。

【背景技术】

目前，光学光刻技术已经在微电子制造领域得到了广泛的应用。光学光刻所采用的掩膜板通常是玻璃基板加上金属铬镀层构成的，由于玻璃基板硬度较大、缺乏柔性，因而光学光刻技术只能适用于平面基底的光刻加工，无法对曲面基底进行光刻加工。另外为了保证硬质掩膜板同平面基底的紧密接触，还需要对硬质掩膜板和平面基底进行抽真空处理，因此光刻技术也不适宜于进行大面积基底的光刻加工。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种柔性掩膜板及其制备方法，以解决上述技术问题；其基板采用透明的柔性材料，然后利用粘结或转移工艺将图形化的金属结构层固定到柔性基板上，从而形成柔性掩膜板。

为了实现上述目的，本发明采取如下的技术方案：

一种柔性掩膜板，包括柔性基板，柔性基板上方依次设有粘结层、金属图形结构层和柔性封装层。

本发明进一步的改进在于：所述金属图形结构层和柔性封装层之间设有一层媒介层。

本发明进一步的改进在于：柔性基板采用透明性柔性材料制成。

本发明进一步的改进在于：柔性基板的材质为聚碳酸酯或聚二甲基硅氧烷；粘结层的材质为环氧树脂胶粘剂；金属图形结构层的材质为铝或铜；柔性封装层的材质为聚二甲基硅氧烷。

本发明进一步的改进在于：媒介层的材质为聚甲基丙烯酸甲酯。

柔性掩膜板的制备方法，包括以下步骤：

(1)采用离心铺胶、喷胶或丝网印刷方法将液态的光刻胶材料涂敷到硅片基底的二氧化硅绝缘层表面上，并在二氧化硅绝缘层表面上均匀分布；

(2)采用光刻或压印工艺，对硅片基底上的光刻胶进行图形化加工，形成光刻胶图形结构；

(3)采用物理汽相淀积方法，在光刻胶图形结构上淀积一层金属材料，然后采用剥离法剥离光刻胶图形结构，在硅片基底的二氧化硅绝缘层表面形成金属图形结构层；

(4)采用离心铺胶、喷胶或丝网印刷方法将粘结层材料均匀涂敷到金属图形结构层上，在金属图形结构层上形成粘结层；

(5)将柔性基板覆盖到粘结层上，然后去除二氧化硅层，从而得到带有金属图形结构层的柔性基板；

(6)在金属图形结构层上覆盖柔性封装层，完成柔性掩膜板的制作。

本发明进一步的改进在于：步骤中通过湿法刻蚀去除二氧化硅绝缘层。

柔性掩膜板的制备方法，包括以下步骤：

(1)采用离心铺胶、喷胶或丝网印刷方法将液态的光刻胶材料涂敷到硅片基底的二氧化硅绝缘层表面上，并在二氧化硅绝缘层表面上均匀分布；

(2)采用光刻或压印工艺，对硅片基底上的光刻胶进行图形化加工，形成光刻胶图形结构；

(3)采用物理汽相淀积方法，在光刻胶图形结构上淀积一层金属材料，然后采用剥离法剥离光刻胶图形结构，在硅片基底的二氧化硅表面形成金属图形结构层；

(4)采用离心铺胶、喷胶或丝网印刷方法将媒介层材料均匀涂敷到硅片基底上的金属图形结构层表面，形成包覆金属结构的媒介层；

(5)采用离心铺胶、喷胶或丝网印刷方法将粘结层材料均匀涂敷到柔性基板上，在柔性基板上形成粘结层；

(6)去除硅片基底上的二氧化硅绝缘层，从而得到包覆金属图形结构层的媒介层；

(7)将媒介层转移到带有粘结层的柔性基板上，使金属图形结构层粘结在粘结层上；

(8)最后，在媒介层上覆盖柔性封装层，完成柔性掩膜板的制作。

本发明进一步的改进在于：步骤（6）中通过湿法刻蚀去除二氧化硅绝缘层。

相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：本发明提供一种柔性掩膜板及其制备方法，该柔性掩膜板能够对曲面基底进行光刻加工，而且其可以自然吸附到基底上实现紧密接触，不需要进行传统的抽真空处理，这使得本发明的柔性掩膜板适宜于进行大面积基底的光刻加工。

【附图说明】

图1为实施例1所示柔性掩膜板（四层结构）的结构分层示意图；

图2为实施例2所示柔性掩膜板（五层结构）的结构分层示意图；

其中，1为柔性基板(如市售的聚碳酸酯，PC或聚二甲基硅氧烷，PDMS)，2为粘结层(如市售的环氧树脂胶粘剂)，3为金属结构层(如铝或铜，Al，Cu)，4为柔性封装层(如市售的聚二甲基硅氧烷，PDMS)，5为媒介层(如市售的聚甲基丙烯酸甲酯，PMMA)。

【具体实施方式】

实施例1