[发明专利]离子源有效

专利信息
申请号: 201310068783.2 申请日: 2013-03-05
公开(公告)号: CN103313501A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 角谷晶子;桥本清;佐藤洁和;长内昭宏;吉行健;来栖努;林和夫 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐冰冰;刘杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 离子源
【权利要求书】:

1.一种离子源,该离子源与连接于上述离子源的被排气成真空的下游侧的设备连接,其特征在于,

上述离子源具备:

真空容器,被排气成真空;

靶材,配置在上述真空容器内,且通过激光的照射而产生离子;

输送机构,将由上述靶材产生的离子朝上述下游侧的设备输送;以及

真空密封机构,在更换配置于上述真空容器内的靶材之前,密封上述输送机构,以将上述真空容器侧和上述下游侧的设备侧的真空分离。

2.根据权利要求1所述的离子源,其特征在于,

上述真空密封机构配置在利用与真空密封板连接的致动器驱动该真空密封板来密封上述输送机构的位置。

3.根据权利要求1所述的离子源,其特征在于,

上述真空密封机构配置在利用与真空密封板连接的直线导入机直线驱动该真空密封板来密封上述输送机构的位置。

4.根据权利要求1所述的离子源,其特征在于,

上述真空密封机构配置在利用与真空密封板连接的旋转导入机旋转驱动与旋转导入机连接的该真空密封板来密封上述输送机构的位置。

5.根据权利要求1所述的离子源,其特征在于,

上述真空密封机构是关闭对上述输送机构中的流路进行开闭的阀的机构。

6.一种离子源,该离子源与连接于上述离子源的被排气成真空的下游侧的设备连接,其特征在于,

上述离子源具备:

第一真空容器,被排气成真空;

第一靶材,配置在上述第一真空容器内,且通过激光的照射而产生离子;

第二真空容器,安装于上述第一真空容器,且能够与上述第一真空容器独立地被排气成真空;

不同于上述第一靶材的第二靶材,被收纳于上述第二真空容器;以及

第一阀,对上述第一真空容器与上述第二真空容器之间的流路进行开闭,

在关闭上述第一阀的状态下将上述第二真空容器内排气成真空之后,在打开上述第二阀的状态下,上述第一靶材被更换成收纳在上述第二真空容器内的上述第二靶材。

7.根据权利要求6所述的离子源,其特征在于,

还具备:

不同于上述第二真空容器的第三真空容器,安装于上述第一真空容器,且能够与上述第一真空容器独立地被排气成真空;以及

第二阀,对上述第一真空容器与上述第三真空容器之间的流路进行开闭,

在关闭上述第二阀的状态下将上述第三真空容器内排气成真空之后,在打开上述第二阀的状态下,上述第一靶材被从上述第一真空容器内收纳至上述第三真空容器内,

在上述第一靶材被收纳于上述第三真空容器之后,将上述第二靶材配置到上述第一真空容器内,由此将上述第一靶材更换成上述第二靶材。

8.一种离子源,该离子源与连接于上述离子源的被排气成真空的下游侧的设备连接,其特征在于,

上述离子源具备:

真空容器,被排气成真空;

多个靶材,层叠配置在上述真空容器内,且通过激光的照射而产生离子;

输送机构,将通过对上述多个靶材中的配置在上述激光的照射侧的靶材照射激光而产生的离子朝上述下游侧的设备输送;以及

更换机构,通过将上述多个靶材中的配置在上述激光的照射侧的靶材除去来更换上述激光所照射的靶材。

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