[发明专利]液晶显示面板及液晶显示装置有效
申请号: | 201310050276.6 | 申请日: | 2013-02-08 |
公开(公告)号: | CN103984168B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 刘侑宗;李淂裕;黄建达;许振嘉 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 液晶 显示装置 | ||
1.一种液晶显示面板,其特征在于,包括:
一薄膜晶体管基板,具有:
一基板;
一薄膜晶体管,设置于所述基板之上,并具有一栅极、一源极、一漏极及一通道层,所述栅极与所述通道层相对而设,所述源极及所述漏极分别设置于所述通道层上,并与所述通道层接触;及
一缓冲层,设置于所述基板之上,并直接接触所述通道层,所述缓冲层与所述通道层的接触面的光线反射率的范围介于25%~80%之间;
一对向基板,与所述薄膜晶体管基板相对设置;以及
一液晶层,设置于所述薄膜晶体管基板与所述对向基板之间。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述缓冲层位于所述通道层与所述基板之间,所述栅极位于所述通道层之上。
3.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管基板更具有一元件区及一穿透区,所述缓冲层使用同一工艺而形成于所述元件区及所述穿透区。
4.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述缓冲层包含一第一缓冲层及一第二缓冲层,所述第一缓冲层设置于所述基板上,所述第二缓冲层设置于所述第一缓冲层上。
5.如权利要求4所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一缓冲层或所述第二缓冲层的材质包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或氧化铪,或其组合。
6.如权利要求4所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一缓冲层的厚度介于50~70纳米之间,所述第二缓冲层的厚度介于200~230纳米之间。
7.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述缓冲层与所述通道层的接触面的光线反射率的范围介于30%~60%之间。
8.一种液晶显示装置,其特征在于,包括:
一液晶显示面板,包含一薄膜晶体管基板、一对向基板及一液晶层,所述薄膜晶体管基板具有一基板、一薄膜晶体管及一缓冲层,所述薄膜晶体管设置于所述基板之上,并具有一栅极、一源极、一漏极及一通道层,所述栅极与所述通道层相对而设,所述源极及所述漏极分别设置于所述通道层上,并与所述通道层接触,所述缓冲层设置于所述基板之上,并直接接触所述通道层,所述缓冲层与所述通道层的接触面的光线反射率的范围介于25%~80%之间,所述对向基板与所述薄膜晶体管基板相对设置,所述液晶层设置于所述薄膜晶体管基板与所述对向基板之间;以及
一背光模块,设置于所述薄膜晶体管基板相对于所述对向基板的另一侧。
9.如权利要求8所述的液晶显示装置,其特征在于,所述缓冲层包含一第一缓冲层及一第二缓冲层,所述第一缓冲层设置于所述基板上,所述第二缓冲层设置于所述第一缓冲层上。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置,其特征在于,所述第二缓冲层的厚度为x,所述光线反射率为y,且所述厚度x与所述光线反射率y满足以下等式:
其中,xc=﹙所述第一缓冲层厚度×所述第一缓冲层的折射率﹚/﹙2×所述第二缓冲层的折射率﹚,w=背光波长/﹙4×所述第二缓冲层的折射率﹚,A=﹙所述光线反射率最大值-所述光线反射率最小值﹚/2,y0为所述第二缓冲层的厚度为0时,所述接触面的光线反射率。
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