[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch，简称ADS)，通过同一狭缝电极边缘所产生的电场及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹等优点。

ADS液晶显示器与其他显示器相比具有扩大视角的优点，在当前平板显示器市场占据了重要的地位。然而对于ADS液晶显示器来说，阵列基板及其制造工艺决定了其产品的性能和价格。该阵列基板在传统的工艺在Array段工艺过程中，会随着像素区内的TFT沉积形成的同时形成防静电的ESD(Electro-Static discharge，静电释放)组件回路，但是ESD回路往往形成于Array工艺的后期(像素电极沉积之后)，因此在Array工艺中，ESD组件还不能发挥其防静电的作用，造成诸多此阶段由静电引发的各种不良。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种阵列基板及显示装置，使ESD组件充分发挥其疏散电荷的作用，有效的降低了ESD的发生率。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种阵列基板，包括：基板；基板的一侧依次形成有第一导电层、源漏电极、有源层和绝缘层的图形，其中所述绝缘层上设置有至少一个过孔；在形成有所述第一导电层、源漏电极、有源层和绝缘层的基板上依次形成有栅金属层和钝化层，其中所述栅金属层包括栅电极和栅线，所述栅金属层通过所述至少一个过孔与所述第一导电层连接，形成将静电疏散的通路。

根据本实用新型的另一个方面，提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

由上述技术方案可知，本实用新型的实施例具有如下有益效果：可以在Array工艺中提前多步工艺完成ESD回路的形成，使ESD组件充分发挥其疏散电荷的作用，有效的降低了ESD的发生率，减少了ESD所造成的诸多电学不良。

附图说明

图1表示本实用新型的一个实施例中阵列基板的制造方法的流程图；

图2表示执行图1中制造方法的步骤S101后对应的阵列基板的截面示意图；

图3表示执行图1中制造方法的步骤S102后对应的阵列基板的截面示意图；

图4表示执行图1中制造方法的步骤S103后对应的阵列基板的截面示意图；

图5表示执行图1中制造方法的步骤S104后对应的阵列基板的截面示意图；

图6表示执行图1中制造方法的步骤S105后对应的阵列基板的截面示意图；

图7表示执行图1中制造方法的步骤S106后对应的阵列基板的截面示意图；

图8表示执行图1中制造方法的步骤S107后对应的阵列基板的截面示意图；

图9表示本实用新型的实施例中阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型实施例做进一步详细地说明。在此，本实用新型的示意性实施例及说明用于解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。

在现有的TFT-LCD工艺中，ESD组件有效的起到将工艺中产生的电荷均匀扩散的作用，但是传统的ESD回路均是在ITO(氧化铟锡)层沉积后(即Array工艺结束后)才得以形成，因此在Array工艺过程中ESD组件不能发挥其扩散电荷的作用。本实用新型的实施例以ADS模式产品为例，改变源漏电极、有源层、栅金属层的沉积顺序，相比于传统的Array工艺可以提前形成ESD回路，有效的减少了Array段ESD对膜层以及像素造成的破坏。

根据本实用新型的一个实施例，首先在基板的一侧依次形成第一导电层、源漏电极、有源层和绝缘层的图形，其中绝缘层上设置有至少一个过孔；然后在形成绝缘层的基板上依次形成栅金属层和钝化层，其中栅金属层包括栅电极和栅线，栅金属层通过至少一个过孔与第一导电层连接，形成将静电疏散的通路。

具体地，结合图1～图8来描述本实用新型的一个实施例中阵列基板的制造方法100的流程，该制造方法100包括以下步骤：

步骤S101、在基板1的一侧上形成第一导电层2的图形；