[发明专利]电源电路无效

专利信息
申请号: 201210588807.2 申请日: 2012-12-29
公开(公告)号: CN103902001A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 周海清 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G06F1/26 分类号: G06F1/26;H02H3/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电源 电路
【权利要求书】:

1.一种电源电路,用于为一电子元件供电,所述电源电路包括一电压转换单元、一过压保护单元及一电源供应器,所述电压转换单元的输入端与所述电源供应器相连以接收所述电源供应器提供的第一电压,所述电压转换单元的输出端与所述电子元件相连,以为电子元件提供工作电压,所述过压保护单元包括第一至第五电子开关、第一至第六电阻及一二极管,所述第一电子开关的第一端通过所述第一电阻与所述电压转换单元的输出端相连并通过所述第二电阻接地,所述第一电子开关的第二端通过所述第三电阻与所述电源供应器相连以接收所述电源供应器提供的第二电压,所述第二电子开关的第一端与所述第一电子开关的第二端相连,所述第二电子开关的第二端通过所述第四电阻与所述电源供应器相连以接收所述第二电压,所述第三电子开关的第一端通过所述第五电阻与所述电源供应器相连以接收所述第二电压,所述第三电子开关的第二端与所述二极管的阴极相连,所述第三电子开关的第三端与所述电源供应器相连以接收所述第二电压,所述二极管的阳极与所述第二电子开关的第二端相连,所述第四电子开关的第一端与所述二极管的阴极相连,所述第四电子开关的第二端与所述第三电子开关的第一端相连,所述第五电子开关的第一端与所述第四电子开关的第二端相连,所述第五电子开关的第二端通过所述第六电阻与所述电源供应器相连以接收所述第二电压并与所述电源供应器的电源开机信号引脚相连,所述第一、第二、第四及第五电子开关的第三端均接地,当所述电压转换单元的输出端输出的电压等于所述电子元件的工作电压时,所述第一电子开关截止,所述第二电子开关导通,所述二极管截止,所述第四电子开关截止,所述第三电子开关截止,所述第五电子开关导通,所述第五电子开关的第二端输出一低电平信号给所述电源开机信号引脚,所述电源供应器正常工作;当所述电压转换单元的输出端输出的电压大于所述电子元件的工作电压时,所述第一电子开关导通,所述第二电子开关截止,所述二极管导通,所述第四电子开关导通,所述第三电子开关导通,所述第五电子开关截止,所述第五电子开关的第二端输出一高电平信号给所述电源开机信号引脚,所述电源供应器停止电压输出。

2.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于:所述电压转换单元包括一驱动芯片、一第六电子开关、一第七电子开关、一电感及一第一电容,所述第六电子开关的第一端与所述驱动芯片的第一引脚相连,所述第六电子开关的第二端作为所述电压转换单元的输入端与所述电源供应器相连以接收所述第一电压,所述第六电子开关的第三端依次通过所述电感及所述第一电容接地,所述第七电子开关的第一端与所述驱动芯片的第二引脚相连,所述第七电子开关的第二端与所述第六电子开关的第三端相连并与所述驱动芯片的第三引脚相连,所述第七电子开关的第三端接地,所述电感与所述第一电容之间的节点作为所述电压转换电路的输出端与所述电子元件相连。

3.如权利要求2所述的电源电路,其特征在于:所述驱动芯片的第一引脚及第二引脚交替输出高电平信号,以使得所述第六电子开关及第七电子开关依次轮流导通,当所述第一引脚输出高电平信号时,所述第六开关元件导通,所述第一电压通过所述第六电子开关为所述电感及所述第一电容充电,当所述第二引脚输出高电平信号,所述第七电子开关导通,所述电感及所述第一电容通过所述第七电子开关放电。

4.如权利要求3所述的电源电路,其特征在于:所述第六电子开关及第七电子开关均为NMOS场效应管,所述第六电子开关及第七电子开关的第一端、第二端及第三端分别对应于所述NMOS场效应管的栅极、漏极及源极。

5.如权利要求2所述的电源电路,其特征在于:所述电压转换单元还包括一第二电容,所述第六电子开关的第一端通过所述第二电容接地。

6.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于:所述第一电子开关及第二电子开关均为NPN型三极管,所述第三电子开关的第一端、第二端及第三端分别对应于所述NPN型三极管的基极、集电极及发射极。

7.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于:所述第三电子开关为一PNP型三极管,所述第三电子开关的第一端、第二端及第三端分别对应于所述PNP型三极管的基极、集电极及发射极。

8.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于:所述第四电子开关及第五电子开关均为NMOS场效应管,所述第四电子开关及第五电子开关的第一端、第二端及第三端分别对应于所述NMOS场效应管的栅极、漏极及源极。

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