[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，其包括开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管，该驱动薄膜晶体管的结构为：其底部为缓冲层，该缓冲层上设有多晶硅，该多晶硅与缓冲层上包覆有栅极绝缘层，该栅极绝缘层上设有栅极，该栅极与栅极绝缘层上包覆有介电层，并在介电层以及绝缘层之内分别形成源极接触孔以及漏极接触孔，在源极接触孔与漏极接触孔上分别形成源极与漏极，在驱动薄膜晶体管的最上方设有包覆源极、漏极与介电层的钝化层；该驱动薄膜晶体管的漏极区形成导通孔用以连接驱动有机发光器件发光的阳极材料，并在栅极和多晶硅交叠区的上方形成钝化层开孔。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的结构为：其底部为缓冲层，该缓冲层上设有多晶硅，该多晶硅与缓冲层上包覆有栅极绝缘层，该栅极绝缘层上设有栅极，该栅极与栅极绝缘层上包覆有介电层，并在介电层以及绝缘层之内分别形成源极接触孔以及漏极接触孔，在源极接触孔与漏极接触孔上分别形成源极与漏极，在开关薄膜晶体管的最上方设有包覆源极、漏极与介电层的钝化层。

3.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层开孔为圆形或多边形，且大小能够调节。

4.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述沉积栅极绝缘层为氧化硅层、氮化硅层或复合绝缘层，所述栅极的材质为铝、钨、铬、钼或金属化合物；所述介电层材料为氧化硅、氮化硅或复合介电层；所述钝化层为氮化硅层。

5.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

（1）首先在阵列基板上沉积一层缓冲层，在缓冲层上形成多晶硅；

（2）在具有多晶硅图案的基板上沉积栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成栅极金属图案；

（3）在具有栅极金属图案的基板表面上，再沉积一介电层；在介电层以及绝缘层之内分别形成一源极接触孔与一漏极接触孔；

（4）在具有接触孔的基板表面上沉积一导电材料，利用光刻及刻蚀工序，形成源极和漏极；

（5）在整个基板表面沉积钝化层，如此形成开关薄膜晶体管；

所述低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法还包括如下步骤：

（6）在漏极区形成导通孔用以连接驱动有机发光器件发光的阳极材料，并在栅极和多晶硅交叠区的上方形成大小可调节的钝化层开孔，借此形成驱动薄膜晶体管。

6.如权利要求5所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤（1）中沉积缓冲层、所述步骤（2）中沉积栅极绝缘层及所述步骤（5）中沉积钝化层均采用化学气相沉积方法。

7.如权利要求5所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤（1）中，在所述缓冲层上使用化学气相沉积方法沉积非晶硅层，并采用准分子激光退火或固相结晶方法将非晶硅晶化为所述多晶硅。

8.如权利要求5所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤（3）中，采用光刻和刻蚀工序在源极欧姆接触区域以及漏极欧姆区域的上方的介电层以及绝缘层之内分别形成所述源极接触孔与漏极接触孔。

9.如权利要求5所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤（2）具体包括，在所述栅极绝缘层上通过物理气相沉积方法形成一金属层，经过光刻以及刻蚀工序后形成栅极金属图案。

10.如权利要求5所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，钝化层开孔采用光刻工艺在栅极与多晶硅交叠区的上方钝化层形成。