[发明专利]预烧装置有效
申请号: | 201210551603.1 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103176114A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 上山明纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
技术领域
本发明涉及用于半导体装置等电子部件的预烧试验和老化试验的预烧装置。
背景技术
半导体装置等电子部件的制造工序包括在高温环境下一边使电子部件工作一边进行电子部件特性的测量的预烧试验(バ一ンィン試験)和老化试验(ェ一ジング試験)。该预烧试验和老化试验在比常温高的温度环境下一边使电子部件工作一边对品质特性项目进行测量,在该试验中使用专用的预烧装置。预烧装置有两种温度控制方式,一种是利用恒温槽内的环境气体间接地对电子部件进行温度控制的方式,另一种是使温度调节部接触电子部件直接对电子部件进行温度控制的方式。
例如,在JP特开2005-121625号公报中记载有以前一种方式进行温度控制的预烧装置。在JP特开2005-121625号公报中公开的预烧装置包括:恒温槽,其具有能够装卸被试验体的半导体激光装置的插座;温度保持部,其用于将恒温槽内的环境保持在规定温度范围内。该预烧装置将多个半导体激光装置安装于插座以驱动该半导体激光装置,并将恒温槽内的环境加热到规定温度,由此进行试验。
然而,在这种温度控制方式中存在的问题是:为了使设置于恒温槽内的所有半导体激光装置的温度上升到规定的检查温度并使之稳定,需要较长的时间。而且,难以均匀地调整设置于恒温槽内的多个半导体激光装置的温度,尤其是半导体激光装置自身发热导致恒温槽内的环境被加热,因此,在半导体激光装置密集的中央部分和其周围的外周部,环境的温度容易不稳定,从而难以精确地进行温度控制。
另外,例如在JP特开2007-78388号公报中记载有以后一种方式进行温度控制的预烧装置。JP特开2007-78388号公报所公开的预烧装置构成为将电子部件本体被安装在引线框架上的状态的电子部件作为被试验体,存在不能应用于例如通过在CAN封装等中封入电子部件本体来构成的电子部件的问题。换言之,JP特开2007-78388号公报所公开的预烧装置存在能够进行试验的电子部件的形状收到制约的问题。
于是,在例如JP特开2010-151794号公报中提出了用于解决上述问题的预烧装置。JP特开2010-151794号公报所公开的预烧装置包括:电子部件搭载部,其形成为能够保持CAN封装式电子部件的形状,并且具有将热源的热量传递到CAN封装的管座背面的导热部;插座,其装卸自如地安装有电子部件搭载部,向安装时保持于导热部的CAN封装的连接端子提供电源以使CAN封装内的电子部件本体驱动;温度调节部,其作为热源与电子部件搭载部的导热部接触。由此,也能够对CAN封装等封装形式的电子部件进行预烧试验和老化试验。
在JP特开2010-151794号公报所公开的预烧装置中,在电子部件搭载部本身上设置有用于将电子部件固定在导热部上的电子部件罩。因此,存在电子部件搭载部的结构复杂的问题。而且,能够安装到电子部件搭载部的电子部件的数量也成为被试验体数量减少而使试验效率降低、装置大型化而使价格上涨的主要原因。
发明内容
本发明的目的在于提供一种对电子部件直接进行温度控制、能够简化结构且降低装置的制造成本的预烧装置。
本发明提供一种预烧装置,其在预先确定的温度环境下驱动具有本体部和自本体部向外部突出的连接端子的电子部件以进行试验,该预烧装置的特征在于,包括:能够装卸地安装电子部件的电子部件保持体及能够装卸地安装所述电子部件保持体的装置本体;
该电子部件保持体具有:
插座本体,其具有电绝缘性,形成有能够插入连接端子的插入孔;
插座电极部,其设置于所述插座本体,与插入所述插入孔的连接端子接触而与该连接端子电连接;
导热部,其埋设有所述插座本体,在将连接端子插入到所述插入孔的状态下与本体部接触;
该装置本体具有:
本体电极部,在安装有所述电子部件保持体的状态下,其与所述插座电极部接触而与该插座电极部电连接;
驱动部,其经由所述本体电极部向电子部件供给驱动电流;
温度调整部,在安装有所述电子部件保持体的状态下,其与所述导热部接触以调整该导热部的温度。
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