[发明专利]一种氮化硅增韧陶瓷的制备方法无效
申请号: | 201210496627.1 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN103011872A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 李东炬;甄恒洲 | 申请(专利权)人: | 大连大友高技术陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B35/81 | 分类号: | C04B35/81;C04B35/584;C04B35/622 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 赵淑梅 |
地址: | 116000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 硅增韧 陶瓷 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种氮化硅增韧陶瓷的制备方法,属于陶瓷制备领域。
背景技术
碳化硅晶须是一种很少缺陷的,有一定长径比的单晶纤维,它具有相当好的抗高温性能和很高强度。氮化硅陶瓷具有极高的强度很高且极耐高温,其强度在1200℃的高温不下降,受热后不会熔成融体,同时,其耐化学腐蚀性能优异,能耐几乎所有的无机酸和30%以下的烧碱溶液,也能耐很多有机酸的腐蚀。
氮化硅陶瓷的烧结工艺一般为三种:热等静压(HIP)、热压(HP)和气氛压力烧结。气氛烧结的压力为5~10MPa,热压烧结的压力为70Mpa左右,热等静压的烧结的压力为150MPa~200MPa。
发明内容
本发明的目的是提供一种氮化硅增强陶瓷的制备方法,该制备方法可以实现在常压下烧结氮化硅增强陶瓷,利用该方法制备的氮化硅增强陶瓷强度高、致密性好、韧性明显提高,且耐高温和耐磨优异,可广泛用于各种对材料强度要求高的领域。
一种氮化硅增韧陶瓷的制备方法,包括混料、球磨和烧结的步骤,所述混料步骤中,陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:
β-Si3N4 65%~85%
SiC晶须 10%~25%
烧结助剂 5%~10%。
本发明所述氮化硅增韧陶瓷的制备方法优选所述烧结助剂选自Al2O3、MgO、Y2O3、ZrO2中的至少一种。
本发明所述氮化硅增韧陶瓷的制备方法优选所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:
β-Si3N4 70%~80%
SiC晶须 15%~25%
烧结助剂 5%~10%。
本发明所述氮化硅增韧陶瓷的制备方法优选所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:
β-Si3N4 75%
SiC晶须 20%
烧结助剂 5%。
本发明所述氮化硅增韧陶瓷的制备方法优选所述烧结助剂,按质量百分比,由下述组分组成:
Al2O3 60%
MgO 20%
Y2O3 20%。
本发明所述氮化硅增韧陶瓷的制备方法优选所述烧结为无压烧结的步骤,按下述工艺进行:常压下,将粉料置于模具中,在烧结炉中以60~80℃/min的速度升温至1600℃~1800℃,保温0.5h~2h,停止加热后随炉冷却至室温。
本发明所述氮化硅增韧陶瓷的制备方法优选所述球磨步骤,按下述工艺进行:常温下,将经混料的粉料置于球磨机中,于300~360r/min的速度球磨6h~10h。
本发明所述氮化硅增韧陶瓷的制备方法优选所述混料步骤,按下述工艺进行:将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀,过80~200目筛。
本发明所述氮化硅增韧陶瓷的制备方法进一步优选下述技术方案:
一种氮化硅增韧陶瓷的制备方法,包括下述工艺步骤:
①混料:将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀,过80~200目筛;
②球磨:常温下,将经混料的粉料置于球磨机中,于300~360r/min的速度球磨6h~10h;
③烧结:常压下,将粉料置于模具中,在烧结炉中以60~80℃/min的速度升温至1600℃~1800℃,保温0.5h~2h,停止加热后随炉冷却至室温。
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