[发明专利]一种引出限流的装置

说明书

技术领域

本发明是一种引出限流的装置，用于保护引出电极短路时的装置。

背景技术

集成电路制造技术及工艺是关乎国计民生的战略性工程，对保障国家安全和增强综合国力具有重大战略意义，是一种高新技术产业。集成电路芯片制造概括的来讲就是将元器件做在极小半导体芯片上的过程。通常情况下，要完成集成电路芯片的制造过程需要数十种工艺设备的数百道工序。一条工艺线主要有曝光、刻蚀、离子注入、氧化、镀膜等工艺，这些工艺多次循环往复进行。离子注入技术与常规热掺杂工艺相比具有高精度的剂量均匀性与重复性，横向扩散小等优点。离子注入克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗，因此离子注入机广泛用于掺杂工艺，当代VLSI、ULSI等工艺重要特征之一就是“全离子注入”。离子注入对控制半导体的掺杂剖面，结深，保证器件各项电参数非常重要。

离子注入机是半导体工艺中离子掺杂的典型设备。在离子能量有分高能和低能。加速管的工作模式就取决于所需要的离子能量的大小。它既是离子束加速光学元件，又是离子束减速光学元件，

在离子源放电室与引出地电极之间加一正电压(引出电压MAX80KV)离子在引出电场电场作用下获得能量离开放电室，沿着电场方向运动。当离子离开引出电极(地电极)时离子所获得的能量就是引出电压能量。在引出电极与放电室之间有一个引出抑制电极，引出抑制电极有两个作用，一是抑制由于离子打到地电极及以后的管壁上所产生的二次电子被反加速而进入离子源放电室。二是对离子束的聚焦作用，通过改变抑制电极上电压大小，可以改变引出电极系统的焦距。

引出电极设计为X、Y、Z三维可调节，其目的是为了获得最佳的引出电场，获得最佳的引出束流。

发明内容

本发明针对引出浪涌保护的一个装置，采用高压电阻来达到引出电极的短路保护。本发明提供了一种引出限流的装置。

本发明通过以下技术方案实现：

1.一种引出限流的装置，包括：上盖(1)、底座(2)、绝缘筒(3)、绝缘支杆1(4)、插销导管(5)、弹簧片(6)、浪涌电阻固定件(7)、绝缘支杆2(8)、浪涌电阻(9)、高压插头(10)。

2.如权利要求1所述的一种引出限流的装置，其特征在于，其中所述的浪涌电阻(9)通过弹簧片(6)与插销导管(5)连接，而高压插头(10)又与插销导管(5)连接，这样整个装置的上下各有一个高压插头(10)。

3.如权利要求1所述的一种引出限流的装置，其特征在于，其中所述的浪涌电阻固定件(7)用来固定浪涌电阻(9)。绝缘支杆1(4)和绝缘支杆2(8)既起到支撑作用，又起到绝缘高压的作用。

4.如权利要求1所述的一种引出限流的装置，其特征在于，其中所述的绝缘筒(3)也是隔离高压部分，起到绝缘作用；底座(2)起到支撑整个引出限流装置的作用，上盖(1)用来固定高压插头(10)和遮挡作用。

本发明具有如下优点：

1.简单可靠，易于加工制造。

2.能很好的把高压电阻与外界隔离，并有绝缘作用。

本发明具有如下缺点：

1.整个装置固定底座不是很稳定。

2.整个装置比较大，占用空间比较大。

附图说明

图1是引出限流的装置图

具体实施方式

下面结合附图的具体实施例对本发明作进一步介绍，这些描述都是说明性的，本发明不限于此。本发明的范围仅由所附权利要求的范围所限定。

图1是引出限流的装置图，一种引出限流的装置，包括：上盖(1)、底座(2)、绝缘筒(3)、绝缘支杆1(4)、插销导管(5)、弹簧片(6)、浪涌电阻固定件(7)、绝缘支杆2(8)、浪涌电阻(9)、高压插头(10)。

浪涌电阻(9)通过弹簧片(6)与插销导管(5)连接，而高压插头(10)又与插销导管(5)连接，这样整个装置的上下各有一个高压插头(10)。浪涌电阻固定件(7)用来固定浪涌电阻(9)。绝缘支杆1(4)和绝缘支杆2(8)既起到支撑作用，又起到绝缘高压的作用。绝缘筒(3)也是隔离高压部分，起到绝缘作用；底座(2)起到支撑整个引出限流装置的作用，上盖(1)用来固定高压插头(10)和遮挡作用。

以上所述已对本发明的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本发明精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本发明专利的侵犯，将承担相应的法律责任。