[发明专利]同时含有高低阻的硅料清洗方法无效

专利信息
申请号: 201210409982.0 申请日: 2012-10-24
公开(公告)号: CN102989723A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 裘永恒 申请(专利权)人: 嘉兴嘉晶电子有限公司
主分类号: B08B7/04 分类号: B08B7/04;B08B3/08;B03B5/62
代理公司: 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 代理人: 唐迅
地址: 314500 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 同时 含有 高低 清洗 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及太阳能硅业清洗处理技术领域,尤其是一种同时含有高低阻的硅料清洗方法。 

背景技术

传统的处理方法是通过人工测试其电阻率来达到分选目的(比如万用表、电笔等),对于尺寸过小的硅料用传统方法处理,不仅费工时、产量上不去而且还存在人为因数的不确定,导致低阻未能完全挑选出,这对接下来生产上的用料都是不利的。 

发明内容

本发明的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种将尺寸较小的高低阻混合硅料中的低阻料有效去除的同时含有高低阻的硅料清洗方法。 

为了达到上述目的,本发明所设计的含有高低阻的硅料清洗方法,清洗步骤如下: 

(1)、将硅料投入浓度大于40%氢氟酸或浓度大于40%氢氟酸与氟化铵的混合溶液中浸泡,浸泡完后取出用水冲至中性; 

(2)、再将硅料投入王水中浸泡,浸泡完后取出用水冲至中性; 

(3)、配置氢氟酸和硝酸的混合溶液,将硅料放入塑料容器中,加入刚配好的混合溶液,两者反应后,用清水轻冲,低阻料浮于水面,将浮于水面的低阻料倒入网布中,实现高低阻料分离; 

(4)、配置氢氟酸、硝酸、冰醋酸的混合溶液,将分离出的高阻料投入混合溶液中,搅动并间隔的加入双氧水,然后取出用水冲至中性; 

(5)、将高阻料投入碱洗盆中,加入氢氧化钠固体,同时加入氢氧化钠溶液,搅拌反应后用清水冲去碱液; 

(6)、将高阻料投入电子级盐酸中浸泡,浸泡完后用纯水冲洗干净; 

(7)、最后用纯水超声,完后捞取烘干。 

作为优化,第一步中氢氟酸与氟化铵的重量比为6-10:1,同时浸泡时间为48小时;第二步中硅料在王水中浸泡时间为24小时;第三步中氢氟酸的浓度为49±1%, 硝酸的浓度为68±2%,氢氟酸与硝酸的质量比为6-10:1,且两者反应时间为0.5-1分钟,第四步中氢氟酸的浓度为49%,硝酸的浓度为70%,氢氟酸,硝酸与冰醋酸的体积比为1:3:7-9,且搅动过程中每隔1个小时加入体积为十分之一等量氢氟酸的双氧水,持续10个小时;第五步中氢氧化钠溶液与氢氧化钠固体等量,搅拌反应1-3分钟;第六步中盐酸为8%的电子级盐酸,浸泡时间为15-20分钟;第七步中用纯水超声2个小时。 

本发明所得到的同时含有高低阻的硅料清洗方法,能有效的将尺寸较小的高低阻混合硅料中的低阻料有效的分离去除,并使高阻料表面的污染物彻底清除,达到太阳能硅业的清洁要求。其操作简单,适用于大批量处理,降低了生产成本,提高经济效益。 

具体实施方式

下面通过实施例对本发明作进一步的描述。 

实施例1: 

本实施例描述的同时含有高低阻的硅料清洗方法,其步骤如下:配置浓度大于40%氢氟酸溶液或浓度大于40%氢氟酸︰氟化铵的重量比为6~10︰1的混合溶液于酸泡池中,将废硅料投入其中,浸泡48h。在此过程中能完全的去除硅表面的氧化层;取出用水冲至中性,配置王水于另一酸泡池中,将硅料投入王水中,浸泡24h。此过程能完全的去除废硅料及其表面的金属沾污;取出用水冲至中性,配置6~10︰1的49±1%氢氟酸︰68±2%硝酸混合溶液于中转箱中,将硅料放入塑料盆,加入已配好的混酸反应0.5~1min,用水轻冲,低阻料浮于水面,将浮在水面的低阻料随着水的流动倒入网布中,重复操作可是高低组得到很好的分离;配置体积比1︰3︰7~9的49±1%氢氟酸︰68±2%硝酸︰冰醋酸混合溶液,将分离出上的高阻硅料投放其中,搅动,并每隔1小时加入体积为十分之一等量氢氟酸的双氧水,10小时后取出用水冲至中性。此过程为高阻料自停止腐蚀,低阻彻底的得到去除;将高阻料投入碱洗盆中,加入氢氧化钠固体,同时加入等量于氢氧化钠的水,搅拌反应1~3min,用水冲掉碱液。此过程将完全去除废硅料表面的工艺层;将硅料投入在8%的电子级盐酸浸泡槽中浸泡15~20min,用纯水冲洗干净而后用纯水超声2h,捞取烘干。 

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