[发明专利]一种液晶显示设备及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示设备以及该液晶显示设备的制造方法。

背景技术

当前，影响液晶显示器发光效果的参数之一为像素开口率（像素的透光面积与像素面积之比率），例如，像素开口率增加时，液晶显示器的耗电更低，亮度更高。在传统的薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,LCD）设计中，为了增加像素开口率，一种解决方案是在于，将像素电极（pixelelectrode），诸如铟锡氧化物（Indium Tin Oxide,ITO）透明电极，的面积增加，且与栅极电路以及源极/漏极电路重叠，便可使像素开口率增加大约10%~20%左右。然而，该设计将会像素电极更趋于接近数据线（data line）。一旦像素电极与数据线过于接近，二者间将进一步产生较大的寄生电容（parasitic capacitance）。

另一方面，通常在像素电极与数据线之间设置较高介电常数的介电质，如，氮化硅薄膜。较高的介电常数将导致寄生电容增大。如果该寄生电容的电容值过高，将进一步致使像素电极上充饱的电荷在下一个画面转换前，受到数据线传送不同电压的影响，从而产生串音效应（cross talk）。为此，可设置一保护层，藉由共通电极线与像素电极之间的距离增大来降低寄生电容的影响，但二者间的距离增大同时也会减小其存储电容。若要维持总的存储电容保持不变，势必会增加与存储电容相关的电极表面积，而电极表面积的增加将反过来降低了像素开口率。

此外，AHVA（Advanced Hyper Viewing Angle，超视角高清晰技术）通过增加PEP（Photo Engraving Process，完成一次黄光制程称之为一个PEP）的数量，改善a-Si薄膜晶体管的像素开口率，从而提供超高分辨率的高画质图像效果。但是，此种设计方案将会使数据线与像素之间的段差过大，造成Cell段制程时易出现PIrubbing（PI膜取向）不良的情形。如果将数据线上方的保护层减薄，降低数据线与像素之间的段差，虽然PI rubbing不良现象可得到改善，但随之而来的是数据线与共通电极之间的距离缩短，增加了RC负荷。

有鉴于此，如何设计一种改进的液晶显示设备，在无需减薄数据线上方的保护层厚度的同时，还可减小数据线与像素之间的段差，避免PI rubbing不良情形的发生，是业内相关技术人员亟待解决的课题。

发明内容

针对现有技术中的液晶显示设备所存在的上述缺陷，本发明提供了一种新颖的液晶显示设备及其制造方法。

依据本发明的一个方面，提供了一种液晶显示设备的制造方法，包括以下步骤：

形成一栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层挖出一沟槽；

沉积一数据线于所述沟槽内；

形成一像素于所述栅极绝缘层的上方；

形成一图案化的第一保护层于所述数据线的上方以及所述像素的上方；以及

形成一图案化的共通电极层于所述第一保护层的上方，其中，所述像素上方的共通电极层呈现一预设图案。

优选地，第一保护层为一非晶硅层。

优选地，共通电极层的材质为铟锡氧化物。

依据本发明的另一个方面，提供了一种液晶显示设备的制造方法，包括以下步骤：

形成一栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层挖出一沟槽；

沉积一数据线于所述沟槽内；

形成一像素于所述栅极绝缘层的上方；

填注一第二保护层于所述沟槽，以包围所述数据线；

形成一图案化的第一保护层于所述第二保护层的上方以及所述像素的上方；以及

形成一图案化的共通电极层于所述第一保护层的上方，其中，所述像素上方的共通电极层呈现一预设图案，

其中，藉由所述第一保护层和所述第二保护层对所述数据线进行保护。

优选地，第一保护层的材质为氧化铝，第二保护层的材质为铟镓锌氧化物或聚合物复合层。

优选地，共通电极层的材质为铟锡氧化物。

依据本发明的又一个方面，提供了一种液晶显示设备，包括：

一栅极绝缘层，具有一沟槽；

一数据线，位于所述沟槽内；

一像素，位于所述栅极绝缘层的上方；

一第一保护层，位于所述数据线的上方以及所述像素的上方；以及

一共通电极层，位于所述第一保护层的上方，其中，所述像素上方的共通电极层呈现一预设图案。