[发明专利]一种低温快速合成α-SiC微粉的方法有效
申请号: | 201210377744.6 | 申请日: | 2012-10-08 |
公开(公告)号: | CN102897763A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 曹文斌;匡健磊 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C01B31/36 | 分类号: | C01B31/36 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低温 快速 合成 sic 方法 | ||
技术领域:
本发明属于材料新工艺领域,涉及一种低温快速、环保节能的微波合成α-SiC微粉的新方法。
背景技术:
目前,α-SiC微粉的工业化生产主要是采用Acheson工艺,利用焦炭还原石英砂制备SiC锭,然后再通过破碎、风选、筛分等一系列后续工艺处理制得α-SiC微粉。这种工艺一般需要高达2000℃以上的反应温度,反应时间从十几小时到数天,属于高耗能、高耗时工艺;且后续处理制得微粉的工艺复杂,难以获得高质量的α-SiC微粉。针对这些问题,人们试图开发一些新型工艺来尝试低温快速制备α-SiC微粉。自蔓延高温合成技术是可以快速地制备出SiC微粉的方法之一,但其产物物相几乎完全是β-SiC。而硅碳气雾剂快速碳热还原法、等离子体加热法、CVD法和激光加热等技术,由于工艺复杂、产率较低,因而制备成本过高,并不适合规模化制备α-SiC微粉。微波加热技术是一种新兴的材料高温合成技术,具有升温快,能耗低的优点。但目前国内外采用微波加热技术制备出的SiC微粉主晶相为β-SiC。
发明内容:
本发明目的是为了克服现有技术存在的合成温度高、反应时间长的缺点,避免繁琐的破碎、分选工艺,有效降低生产成本、能源消耗和缩短工艺周期、提高生产效率。
一种低温快速合成α-SiC微粉的方法,技术方案如下:
(1) 将硅粉和碳源(活性炭、石墨、炭黑和焦炭中的一种或其任意组合)按照硅碳摩尔比(0.7~0.95):1精确称量配料,作为反应剂1;
(2) 然后将铝粉(100目~1000目)与反应剂1按照铝硅摩尔比1:(2.3~19)精确称量,采用高能球磨对反应剂进行活化预处理1~4小时作为反应剂2;
(3) 按反应剂2质量的5~20%将反应助剂(尿素、三聚氰胺、氯化铵和硫酸铵中的一种或其任意组合)加入反应剂2,精确称量,采用高能球磨对反应剂进行活化预处理1~24小时作为反应剂3。
(4) 称取一定量反应剂3装入坩埚中,再将坩埚放入微波炉中,对微波炉进行抽真空,然后充入高纯气体(氩气、氮气和氨气中的一种或其任意组合),开启微波炉加热,以30~150℃/min的升温速率升温至1000~1500℃,并在相应温度保温1~60min后关闭电源,自然冷却后取出反应产物;
(5) 将取出的产物在空气气氛下,于700℃保温1~12小时脱碳纯化处理除去粉体中的残碳;脱碳产物再用氢氟酸与强氧化性酸(硫酸、硝酸和高氯酸的一种或其任意组合)配置成的摩尔比为1:1的混合酸进行酸洗纯化,除去未反应的硅,最后用去离子水洗至中性,干燥后即获得α-SiC微粉。
本发明通过高能球磨预处理提高原料粉体活性,降低反应活化能,然后以微波为热源在特殊气氛条件下实现了α-SiC微粉的低温、快速制备,克服了现有技术存在的合成温度高、反应时间长的缺点,且反应产物直接为微粉因而避免了繁琐的破碎、分选工艺,可有效降低生产成本、能源消耗和缩短工艺周期、提高生产效率。
附图说明:
附图1所示为实施例1所制备的α-SiC微粉的XRD图谱。由图1可见,制备产物结晶良好。
附图2所示为实施例1所制备的α-SiC微粉的场发射扫描电镜照片。从图2中可见微粉中合成了大量晶形良好的六边形α-SiC颗粒,其粒径在1~10μm。
具体实施方式:
实施例1:
首先将硅粉和石墨按硅碳摩尔比0.95:1精确称量配料作为反应剂1,然后按铝硅比1:19加入100目铝粉精确称量配料作为反应剂2,反应剂2经高能球磨活化预处理4小时后,再将反应剂2质量5%的尿素加入反应剂2中配制成反应剂3,然后将反应剂3高能球磨活化预处理24小时。取一定量球磨后的反应剂3装入坩锅中,再置入微波炉中,抽真空后充入流动氩气并使炉内压力保持在1个大气压,启动微波加热,以150℃/min升温至1000℃进行反应,反应时间为60分钟,反应完成后断电自然冷却至室温,将取出的物料在空气气氛中700℃保温1小时脱碳,再用摩尔比1:1的氢氟酸和硝酸的混合酸进行酸洗纯化,最后用去离子水洗至中性,干燥后即得到α-SiC微粉。
实施例2:
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