[发明专利]自发光智能标签及其触发电路无效
申请号: | 201210369246.7 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103714373A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 梁中凌;邓诚亮 | 申请(专利权)人: | 深圳市方卡科技股份有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 智能 标签 及其 触发 电路 | ||
1.一种自发光智能标签的触发电路,连接在RFID芯片U1的电压输出管脚与外扩微控制器W1之间,其特征在于:所述触发电路包括依次连接的RC低通滤波器、开关管和上拉电阻R1;
所述RC低通滤波器的输入端接所述RFID芯片U1的输出管脚,所述RC低通滤波器的输出端接所述开关管的控制端,所述开关管的高电位端一方面通过所述上拉电阻R1接直流电源VCC,另一方面接所述外扩微控制器W1的输入端,所述开关管的低电位端接地。
2.如权利要求1所述的自发光智能标签的触发电路,其特征在于:所述RC低通滤波器包括:电阻R2和电容C1;
所述电阻R2的两端分别为所述RC低通滤波器的输入端和输出端,所述电容C1接在所述RC低通滤波器的输出端与地之间。
3.如权利要求1所述的自发光智能标签的触发电路,其特征在于:所述开关管为NPN型三极管Q1,所述NPN型三极管Q1的基极为所述开关管的控制端,所述NPN型三极管Q1的集电极为所述开关管的高电位端,所述NPN型三极管Q1的发射极为所述开关管的低电位端。
4.如权利要求1所述的自发光智能标签的触发电路,其特征在于:所述开关管为NMOS管Q2,所述NMOS管Q2的栅极为所述开关管的控制端,所述NMOS管Q2的漏极为所述开关管的高电位端,所述NMOS管Q2的源极为所述开关管的低电位端。
5.一种自发光智能标签,包括感应天线、RFID芯片U1和一个发光单元D1,其特征在于,所述自发光智能标签还包括如权利要求1-4任一项所述的触发电路和外扩微控制器W1。
6.如权利要求5所述的自发光智能标签,其特征在于,所述RFID芯片U1和所述发光单元D1串接或并接在所述感应天线的两端,共用所述感应天线收集的能量。
7.如权利要求5所述的自发光智能标签,其特征在于,所述发光单元D1包括至少一个发光二极管。
8.如权利要求7所述的自发光智能标签,其特征在于,所述至少一个发光二极管为RGB LED。
9.如权利要求5-8任一项所述的自发光智能标签,其特征在于,所述自发光智能标签还包括设置在所述发光单元D1外围的一组光纤T1。
10.如权利要求9所述的自发光智能标签,其特征在于,所述智能标签包括标准IC/ID卡、滴胶异形卡和纸质标签。
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