[发明专利]低温烧结大功率锑锰-锆钛酸铅压电陶瓷

权利要求书

1.一种低温烧结大功率铁电锑锰-锆钛酸铅压电陶瓷，其原料组分及其摩尔百分比含量为Pb_1.04(Mn_1/3Sb_2/3)_0.05Zr_0.47Ti_0.48O₃，在此基础上外加质量百分比为0.15wt%SrCO₃与0.15wt%MnO₂，再在上述基础上外加质量百分比为xwt.%CuO，其中x=0.05～1.5。

上述低温烧结大功率铁电锑锰-锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法：采用固相合成的方法，先将基础原料于850℃予烧，最终于900℃~1100℃烧结，保温2h。

2.根据权利要求1的低温烧结大功率锑锰-锆钛酸铅压电陶瓷，其特征在于，所述锑锰-锆钛酸压电陶瓷是单一的钙钛矿结构。

3.根据权利要求1的低温烧结大功率锑锰-锆钛酸铅压电陶瓷，其特征在于，所述原料为Pb₃O₄、ZrO₂、TiO₂、MnO₂、Sb₂O₃、SrCO₃和CuO。

4.根据权利要求1的低温烧结大功率锑锰-锆钛酸铅压电陶瓷，其特征在于，外加xwt.%CuO的优选值为x=0.1。

5.根据权利要求1的低温烧结大功率锑锰-锆钛酸铅压电陶瓷，其特征在于，优选的烧结温度为925℃。