[发明专利]含有双环﹝3，3，0﹞辛烷的液晶化合物及其制备方法与应用

说明书

技术领域

本发明属于液晶化合物及应用领域，涉及一种含有双环﹝3，3，0﹞辛烷的液晶化合物及其制备方法与应用。

背景技术

液晶显示元件由60年代的扭转向列型液晶模式TN（Twist Nematic LC mode），到目前大量生产的垂直配向液晶模式VA（Vertical alignment LC mode），平面转换IPS（in-plane switching）技术已将多半个世纪，由于液晶显示元件具有轻、薄等优点，相关的产品如手机萤幕、笔记型电脑、电脑萤幕、液晶电视等已被大量地研究及开发并成功地导入量产。随着对显示器影像品质的需求不断地提升，在液晶材料、电路设计及趋动方式上，相较于过去已有长足的进步。液晶材料在液晶盒内的反应速度，由过去约100多毫秒（ms），经过不断地改进，已可降到今日10ms以下的反应速度，此反应速度相较于过去，已有相当大的进步。但是出于显示技术的需求以及用户对观看连贯性的追逐，提高反应速度依然是液晶显示元件不停追逐的目标。

一个完整的响应时间周期包含液晶扭转时间与回复时间，分别表示为上升时间（Rise time）τ_r和下降时间（Fall time）τ_d，他们与液晶参数间存在如下公式。

τr=γ1d2ϵ0|Δϵ|(V2-Vth2)]]>τd=γ1d2π2K]]>

由上述公式可得知（其中γ₁为旋转黏滞系数（rotational viscosity），d为液晶盒间隙（cell gap），K为液晶弹性常数（elastic constant）），加快液晶反应速度最直接的方式，便是降低液晶盒间隙d，和液晶旋转粘度。然而，为了要达到最佳的暗态，液晶盒间隙必须配合液晶材料的双折射系数（Δn）设计，因此，开发具有不同Δn，低γ₁的液晶材料成为液晶材料领域不断研究的课题。

本发明公开了一种新型结构的具有双环﹝3，3，0﹞辛烷的液晶化合物，其物理性能具有上述提及的优点。

发明内容

本发明涉及一种含有双环（3,3,0）辛烷的液晶化合物及其制备方法与应用。

本发明提供的一种含有双环（3,3,0）辛烷的液晶化合物，其结构通式如式I所示，式I

所述式I中，R₁和R₂均为如下基团a或b：

a、选自H、Cl、F、CN、OCN、OCF₃、CF₃、CHF₂、OCHF₂、SCN、NCS、SF₅、C1-C10的烷基、氟取代的C1-C10的烷基、氯取代的C1-C10的烷基、C1-C10的烷氧基、氟取代的C1-C10的烷氧基和氯取代的C1-C10的烷氧基中的至少一种；