[发明专利]一种消除形貌变形的等离子刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210343466.2 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102867742A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李全波;张瑜;孟祥国 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 消除 形貌 变形 等离子 刻蚀 方法 | ||
1.一种消除形貌变形的等离子刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：多晶硅栅极结构为在一衬底硅片上从下往上依次沉积氧化物、多晶硅栅极、无定型碳、抗反射涂层、光刻胶；
步骤2：将所述多晶硅栅极结构放入反应腔；
步骤3:以所述光刻胶为掩膜，刻蚀所述光刻胶覆盖之外的所述抗反射涂层至所述无定型碳的上表面；
步骤4：继续以剩余的所述抗反射涂层为掩膜，刻蚀所述无定型碳至所述多晶硅栅极的上表面；
步骤5：完全去除所述无定型碳表面残余的所述抗反射涂层；
步骤6：继续刻蚀所述无定型碳覆盖之外的所述多晶硅栅极至所述氧化物的上表面，去除剩余的所述无定型碳。
2.根据权利要求1所述的消除形貌变形的等离子刻蚀方法，其特征在于，所述等离子刻蚀方法各步骤均采用等离子干法刻蚀工艺。
3.根据权利要求1所述的消除形貌变形的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤1中所述氧化物对所述多晶硅栅极的选择比＞7。
4.根据权利要求1所述的消除形貌变形的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤1中所述抗反射涂层采用SiO2类无机抗反射涂层。
5.根据权利要求1所述的消除形貌变形的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤3的刻蚀过程使用CF4为主的刻蚀气体。
6.根据权利要求1所述的消除形貌变形的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤4的刻蚀过程使用O2为主的刻蚀气体。
7.根据权利要求1所述的消除形貌变形的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤5的刻蚀过程控制所述多晶硅栅极的损耗＜20A。
8.根据权利要求7所述的消除形貌变形的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤5的刻蚀过程使用以C4F8或C5F8为主的刻蚀气体，同时C4F8或C5F8流量为5-10sccm。
9.根据权利要求8所述的消除形貌变形的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤5的刻蚀过程使用电源电压和偏置功率均大于等于200W且小于等于300W。
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