[发明专利]IGBT感应加热电源的逆变驱动电路无效
申请号: | 201210335862.0 | 申请日: | 2012-09-12 |
公开(公告)号: | CN102857081A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 葛运旺;张宗杰;张刚;武超;布挺;赵旭东;常灵香;杨帆 | 申请(专利权)人: | 洛阳升华感应加热有限公司;洛阳理工学院 |
主分类号: | H02M1/092 | 分类号: | H02M1/092 |
代理公司: | 洛阳明律专利代理事务所 41118 | 代理人: | 卢洪方 |
地址: | 471003 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | igbt 感应 加热 电源 驱动 电路 | ||
1.一种IGBT感应加热电源的逆变驱动电路,其特征在于:所述的逆变驱动电路包括有脉冲信号接收和整理电路(2)、隔离电路(3)以及电流放大电路(4);所述的脉冲信号接收和整理电路(2)通过光纤与电源主控制板相连通,用以接受来自外部电路通过光纤所传送的光脉冲信号,并将光脉冲信号转化成电脉冲信号;所述的隔离电路(3)与脉冲信号接收和整理电路(2)相连通,将电脉冲信号进行电光和光电转换得到单向传输的电脉冲信号;所述的电流放大电路(4)与隔离电路(3)相连通,对单向传输的电脉冲信号进行幅度放大,得到IGBT所需的开通电压+15V和关断电压-9V,同时为IGBT模块提供驱动电流;所述的逆变驱动电路还包括有过压保护电路和du/dt保护电路(6)、瞬态抑制电路(5)以及报警输出电路(7);所述的过压保护和du/dt保护电路(6)与IGBT的集电极C相连通,用以在IGBT承受电压过高或IGBT所承受的电压过快时,输出保护信号给脉冲信号接收和整理电路以及电流放大电路;所述的瞬态抑制电路(5)与电流放大电路(4)的输出端相连通,用以检测IGBT的栅极G与发射极E之间的电压,抑制瞬间高电压,保证IGBT的稳定工作;所述的逆变驱动电路还具有供电电路(1);所述的供电电路(1)为脉冲信号接收和整理电路、隔离电路、电流放大电路以及报警输出电路提供电源。
2.根据权利要求1所述的IGBT感应加热电源的逆变驱动电路,其特征在于:所述的脉冲信号接收和整理电路包括有光纤信号接收器RX1和施密特触发器集成电路U1;所述的光纤信号接收器RX1接收来自外部电路通过光纤传送的光脉冲信号,将光脉冲信号转换成电脉冲信号,再由施密特触发器集成电路U1对电脉冲信号进行整理和驱动,施密特触发器集成电路U1将电脉冲信号分成两路输出,两路电脉冲信号PWM1、PWM2送至隔离电路;同时,施密特触发器集成电路U1接收过压保护和du/dt保护电路送来的保护信号PS2。
3.根据权利要求1所述的IGBT感应加热电源的逆变驱动电路,其特征在于:所述的隔离电路包括有光电耦合器U2、光电耦合器U3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、滤波电容C11和滤波电容C12;所述光电耦合器U2的输出端由+5V和接地GND供电,光电耦合器U3的输出端由-5V和-9V供电,光电耦合器U2的输出由电阻R4上拉,光电耦合器U3的输出由电阻R5上拉;所述光电耦合器U2与脉冲信号接收和整理电路传来的电脉冲信号PWM1相连,所述的光电耦合器U3与脉冲信号接收和整理电路传来的电脉冲信号PWM2相连,由光电耦合器U2、光电耦合器U3分别对电脉冲信号PWM1和电脉冲信号PWM2进行电信号-光信号-电信号的转化,通过两次转换,用光信号实现电气隔离和信号的单相传输,防止后续电路的干扰影响到前级电路,隔离后的驱动脉冲信号P1、驱动脉冲信号P2传送至电流放大电路。
4.根据权利要求1所述的IGBT感应加热电源的逆变驱动电路,其特征在于:所述的电流放大电路包括有驱动模块U5、驱动模块U6、场效应管Q1、场效应管Q2、滤波电容C13、滤波电容C14,IGBT门极电阻R6、IGBT门极电阻R7,数字逻辑电路或门U4;所述的数字逻辑电路或门U4接收驱动脉冲信号P1以及过压保护和du/dt保护电路送来的保护信号PS1,数字逻辑电路或门U4的输出与驱动模块U5相连,所述的驱动模块U5接+15V电源,驱动模块U5的输出与场效应管Q1相连,场效应管Q1的输出通过门极电阻R6与IGBT的栅极G相连,驱动模块U6接收驱动脉冲信号P2,驱动模块U6接-9V电源,驱动模块U6的输出与接场效应管Q2,场效应管Q2的输出通过门极电阻R7与IGBT的发射极E相连。
5.根据权利要求1所述的IGBT感应加热电源的逆变驱动电路,其特征在于:所述的瞬态抑制电路包括有瞬态抑制二极管ZD1、吸收电阻R8和吸收电容C15;所述的瞬态抑制二极管ZD1、吸收电阻R8、吸收电容C15并联;所述的瞬态抑制电路接在电流放大电路的输出端,检测IGBT的栅极G和集电极E之间的电压,抑制通过IGBT结电容耦合进来的瞬间高电压。
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