[发明专利]新型近晶A相液晶材料有效
申请号: | 201210331994.6 | 申请日: | 2012-09-10 |
公开(公告)号: | CN103666482A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 李文磊;孙刚;尹环;谭志先;翟怀彬 | 申请(专利权)人: | 苏州汉朗光电有限公司 |
主分类号: | C09K19/34 | 分类号: | C09K19/34;C09K19/40;C09K19/46;G02F1/1333 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 液晶 材料 | ||
技术领域
本发明涉及一类新型近晶A相液晶材料,属于光学显示材料技术领域。
背景技术
液晶按不同的相主要分为:向列相、近晶相、胆甾相,近晶相中又分近晶A、B、C、D、E、F、G、H、I、G相等。向列相与胆甾相液晶的粘度低,具有明显的流动性,而近晶相液晶的粘度较大。液晶都具有介电各向异性,液晶分子都能被电场驱动。粘度低的液晶分子被电信号驱动后,由于粘度低,切断电信号后分子排列不能保持,还能恢复到原来的排列状态;但是粘度高的液晶分子被电信号驱动后,由于粘度高,切断电信号后分子排列状态被保持,不能恢复到原来的排列状态只能维持当前状态。所以近晶相液晶用作显示,被驱动后撤去电信号,仍能保持显示内容,具有记性效应。如图1-a、图1-b和图1-c所示,图1-a是显示图像的状态,图1-b是显示的图像无法擦除有残影的状态,图1-c是图像能被完全擦除的状态。
1978年D.Coates等在“Electrically induced scattering textures in smectic A phases and their electrical reversal”一文中描述了一种近晶A相化合物8CB的光电驱动特性。当时8CB、8OCB等近晶A相物质作为近晶A相液晶显示的缺点很明显:驱动电压高(一般在200V左右),使用前需要一段“老化”时间才能被稳定驱动,只能在一段狭窄的温度区间(10°C左右)内驱动。
Dow Corning公司在1994年GB2274649A的专利中,发现的硅氧烷类近晶A相液晶材料可以降低驱动电压(70~100V左右),不需长时间“老化”就能稳定工作,可驱动温度区间也有所拓宽。剑桥实业在WO2010/070606中利用这类硅氧烷液晶材料与向列相配方进行混配得到了宽温近晶A相材料,更近一步拓宽了近晶A类材料的使用温度。在WO 2011/115611A1中,剑桥实业还提到了利用硅氧烷聚合物类进行近晶A相液晶配方的混配。硅氧烷类近晶A相材料,不但本身具有近晶A相,还能对其他非近晶A相材料进行诱导,使得与硅氧烷液晶材料混合后的混合材料具有近晶A相。所以硅氧烷类近晶A相液晶材料是近晶A相配方中很重要的一类材料。
然而硅氧烷类近晶A相液晶,其记忆效应很强,显示的图像不能彻底被擦除,容易留下所显示图像的残影(如图1b所示)。此外由于硅氧烷类近晶A相材料本身的双折射率很小(Δn≈0.08),并且在配方中硅氧烷液晶的使用量较大,所以以硅氧烷为主体的近晶A相液晶配方双折射率不高。而在散射式显示模式中对比度与液晶材料的双折射率有关,双折射率越大对比度越高,所以硅氧烷类近晶A相材料用作显示时对比度较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一类新的近晶A相液晶材料,消除硅氧烷液晶近晶A相配方体系的显示残影,并且提高对比度。
本发明研究发现一类可以诱导近晶相的物质,并以此为基础进行了液晶混配。不但此类近晶A相液晶配方没有残影,对比度较高,其驱动电压还较低(大约20~50V左右)。
一种新型近晶A相液晶材料,其包含至少一种以通式(I)表示的杂环化合物。通式(I)表示的化合物可以诱导近晶相的物质,是杂环类液晶材料,其结构如下:
通式(Ⅰ)
其中n为1~4的正整数,m和p可以为0或1~4的正整数,M1和M3可以为0或1~2的正整数,M2为1~2的正整数;
X、Z为苯环,F代表氟原子,其苯环上任一个氢原子都可以被氟原子取代。Y可以为苯环也可以为环己环,当Y是苯环时,T代表氮(N)原子,苯环上的任一碳原子都可以被氮原子取代;当Y是环己环时,T可代表氧(O)、硫(S)、硼(B)原子,环己环上的任一碳原子可以被氧(O)、硫(S)、硼(B)原子取代。
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