[发明专利]光接收机有效
申请号: | 201210331231.1 | 申请日: | 2012-09-10 |
公开(公告)号: | CN102833006A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 张有润;吴浩然;刘影;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H04B10/148 | 分类号: | H04B10/148;H04B10/158 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 温利平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收机 | ||
技术领域
本发明属于光电子技术领域,具体涉及一种光接收机的设计。
技术背景
光纤通信是光电子技术在通信领域的重要应用,光纤通信的出现和发展,在通信发展史上具有深远意义,被认为是通信史上一次根本性的变革。光接收机是光纤通信系统中不可缺少的重要组成部分,它的功能是把从光纤线路输出、产生畸变的微弱光信号转换为电信号,并经放大和处理后生成可供后续电路的电信号。光接收机由同光纤耦合的半导体光电探测器(例如PIN光电二极管或MSM-PD二极管)、前置放大电路和相关电路组成。而随着单片光电集成电路(Opoelectronic Integrated Circuit,OEIC)技术的发展和应用市场的需求,光接收机发展方向与大规模集成电路一样,实现从简单到复杂、从少数元件到更多元件的集成,最终集光电子器件、前置放大器以及主放大器等在一起的高度集成组件。
跨阻放大器(Trans-Impedance Amplifier,TIA)、自动增益控制(Automatic Gain Control,AGC)电路位于整个光接收系统的最前端,其功能是将微弱的光电流信号转为适当幅度的电压信号。跨阻放大器是最接近光电探测器的组件,对光电流的响应也最原始,因此跨阻放大器的性能对于整个光通信系统有决定性的影响。近几年TIA的发展速度较快,从速率上分,TIA可以分为从30MBps到40GBps不等,155MBps为目前市场上的主流产品,1.25GBps及各高速率的产品是将来的发展趋势。
一般来说,跨阻放大器的技术指标包括接收灵敏度、带宽、信号增益、输入信号动态范围等。其中部分的技术指标是相互矛盾的,设计者需要根据应用环境进行各指标性能的取舍。例如较大的信号增益,会产生过大的动态范围输出信号,无法满足后置的限幅放大器对输入信号范围的要求;反之,如果使放大器对较强的输入信号进行优化放大,那么会降低其灵敏度。为了使放大器具有足够大的小信号增益的同时,又能对较宽输入动态范围的信号进行处理,在放大器的设计中就应当引入自动增益控制电路(AGC),以扩展跨阻前置放大器的动态输入范围。
AGC的主要性能指标包括稳定时间和调整精度,稳定时间与TIA输出端的检测电阻与电容相关,检测电阻与电容的增加会导致稳定时间增大,但是检测电阻值越小则TIA电路的开环频率特性越差从而影响TIA的带宽,检测电容越小则低通滤波性能越差从而AGC调整精度变差。另外TIA为了获得足够的开环增益一般采用3级或以上的基本放大器级联结构,这也增加了信号输入到AGC电路的延迟时间和噪声。
图1是现有的自动增益控制电路(AGC)采用的结构,由光电探测器PIN产生,并进入TIA输入端In的光生电流信号iin经跨阻放大器被转化为输出端Out的电压信号,此电压信号的低频分量可以通过电阻R1和电容C1组成的低通滤波网络检测得到,这一低频分量的大小是与输入的光电流幅值成正比的。检测得到的电压信号经AGC电路反馈给N型增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)M1的栅极,M1处于深度线性区状态,相当于一个可变电阻,电阻值与VGS-VT(栅源电压与阈值电压的差值)成反比,而整个TIA的闭环增益与此电阻值成正比。一般来说,前置放大器应该有较高的跨阻增益,以避免由于后接的主放大器噪声影响而引起的信噪比的下降,这要求连接于TIA输出端的电阻R1值不能太小,否则中高频时闭环增益将明显下降;同样为了获得良好的滤波特性电容C1的值也不能太小,这导致了电阻R1和电容C1的乘积即时间常数较大,AGC延迟时间变长,无法响应突发模式信号电平的快速改变。此外,为了获得良好的开环特性,TIA结构一般要采用多级电路级联的方式,这也增加了输入到AGC电路的延迟时间和系统噪声,而实际中不可能牺牲TIA的性能来换取AGC的快速响应时间。
发明内容
本发明的目的在于针对TIA与AGC的部分性能指标相互牵制的问题,提出了一种解决方案,其涉及的光接收机所采用的是前置放大电路系统在不影响TIA性能的前提下可以有效的减小AGC的稳定时间,提高调整精度。
本发明采用如下的技术方案:一种光接收机,具体包括:第一PIN型光电探测器、第二PIN型光电探测器、第一跨阻放大器、第二跨阻放大器、一电阻装置、一电容装置、一金属氧化物半导体场效应晶体管、初始增益电路以及限幅放大器,其中,
所述的第一PIN型光电探测器用于将输入的光信号转化为电流信号;
所述的第一跨阻放大器用于将所述的第一PIN型光电探测器产生的电流信号转化为电压信号;
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