[发明专利]光接收机有效
| 申请号： | 201210331231.1 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102833006A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 张有润;吴浩然;刘影;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H04B10/148 | 分类号： | H04B10/148;H04B10/158 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接收机 | ||
1.一种光接收机，具体包括：第一PIN型光电探测器、第二PIN型光电探测器、第一跨阻放大器、第二跨阻放大器、一电阻装置、一电容装置、一金属氧化物半导体场效应晶体管、初始增益电路以及限幅放大器，其中，
所述的第一PIN型光电探测器用于将输入的光信号转化为电流信号；
所述的第一跨阻放大器用于将所述的第一PIN型光电探测器产生的电流信号转化为电压信号；
所述的限幅放大器用于放大第一跨阻放大器输出的电压信号，限幅放大器的输出端作为所述的光接收机的输出端；
所述的第二PIN型光电探测器用于将输入的光信号转化为电流信号；
所述的第二跨阻放大器用于将所述的第二PIN型光电探测器产生的电流信号转化为电压信号，所述的电阻装置连接于第二跨阻放大器输出端和初始增益电路输入端之间，所述的电容装置连接于初始增益电路输入端与地电位之间；
所述的金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与初始增益电路的输出端相连接，源极和漏极分别与第一跨阻放大器的输入端和输出端相连接；所述初始增益电路用于产生一个与输入的光信号无关的初始电压，使得所述的金属氧化物半导体场效应晶体管处于深线性工作区，并且为第一跨阻放大器提供初始增益。
2.根据权利要求1所述的光接收机，其特征在于，所述的第二PIN型光电探测器与第一PIN型光电探测器结构相同，位置相邻并采用隔离层隔离。
3.根据权利要求2所述的光接收机，其特征在于，所述的第一PIN型光电探测器的面积为第二PIN型光电探测器面积的6-10倍。
4.根据权利要求3所述的光接收机，其特征在于，所述的第二PIN型光电探测器的面积为第一PIN型光电探测器面积的八分之一。
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