[发明专利]多层复合膜中悬空台阶的消除方法有效
| 申请号： | 201210311915.5 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103632952A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 宋矿宝 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 高为;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 复合 悬空 台阶 消除 方法 | ||
1. 一种多层复合膜中低压氮化硅层的悬空台阶的消除方法，包括：
使用四氟化碳气体作为腐蚀气体在电场中分解与复合从而生成激发态氟基，以及
通过使激发态氟基与所述低压氮化硅层反应生成气态的四氟化硅和氮气来腐蚀所述低压氮化硅层的悬空台阶。
2. 如权利要求1所述的多层复合膜中氮化硅的悬空台阶的消除方法，其中，所述多层复合膜包括热氧化层、低压化学气相沉积层和所述低压氮化硅层。
3. 如权利要求1所述的多层复合膜中氮化硅的悬空台阶的消除方法，其中，所述低压氮化硅层的悬空台阶是在所述低压化学气相沉积层的腐蚀过程中形成的。
4. 如权利要求1所述的多层复合膜中氮化硅的悬空台阶的消除方法，其中，对所述低压化学气相沉积层进行腐蚀的材料是各向同性的腐蚀液。
5. 一种多层复合膜中低压氮化硅层的悬空台阶的消除方法，其中腐蚀所述低压氮化硅层的悬空台阶的腐蚀量取决于所述悬空台阶的长度。
6. 一种多层复合膜的腐蚀方法，所述多层复合膜包括热氧化层、低压化学气相沉积层和低压氮化硅层，所述方法包括：
使用低压化学气相沉积专用腐蚀液湿法腐蚀所述低压化学气相沉积层；
从所述低压化学气相沉积专用腐蚀液中快速取出所述多层复合膜并对所述多层复合膜冲水以去除残余的所述低压化学气相沉积专用腐蚀液；以及
甩干所述多层复合膜后将其放在各向同性的干法腐蚀设备上，使用四氟化碳气体作为腐蚀气体对所述低压氮化硅层进行腐蚀程序处理。
7. 如权利要求6所述的多层复合膜的腐蚀方法，其中，使用四氟化碳气体作为腐蚀气体对所述低压氮化硅层进行腐蚀程序处理的步骤中的腐蚀量取决于所述低压氮化硅层的悬空台阶的长度。
8. 如权利要求7所述的多层复合膜的腐蚀方法，其中，所述低压氮化硅层的悬空台阶是在所述低压化学气相沉积层的腐蚀过程中形成的。
9. 如权利要求8所述的多层复合膜的腐蚀方法，其中，所述低压化学气相沉积专用腐蚀液是各向同性的腐蚀液。
10. 如权利要求7所述的多层复合膜中氮化硅的悬空台阶的消除方法，其中使用四氟化碳气体作为腐蚀气体对所述低压氮化硅层进行腐蚀程序处理包括：
使用四氟化碳气体作为腐蚀气体在电场中分解与复合从而生成激发态氟基，以及
通过使激发态氟基与所述低压氮化硅层反应生成气态的四氟化硅和氮气来腐蚀所述低压氮化硅层的悬空台阶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
