[发明专利]谐振型异或门振荡集成系统有效

专利信息
申请号: 201210304846.5 申请日: 2012-08-25
公开(公告)号: CN102857216A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 王艳 申请(专利权)人: 成都方拓科技有限公司
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 谐振 振荡 集成 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电路集成系统,具体是指一种谐振型异或门振荡集成系统。

背景技术

电子设备是人们目前常用的生活工具,而大多数的电子设备中都具有异或门电路,以通过识别高、底电平来对电子设备进行控制。但目前市面上的异或门电路均为单纯的异或运算电路,其不具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能,因此当输入的电压出现脉冲时,不仅会极大的影响到异或门电路的正常使用,减少异或门电路的使用寿命,甚至还会击穿该异或门电路,给使用者造成安全隐患。

发明内容

本发明的目的在于克服目前的异或门电路不具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能的缺陷,提供一种结构简单,具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能的一种谐振型异或门振荡集成系统。

本发明通过以下技术方案来实现:谐振型异或门振荡集成系统,其主要由异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2,与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R,与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路,与异或门集成芯片U1相并联的振荡电路,以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路组成。

所述的谐振保护电路由场效应晶体管Q2,一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容C1,串接在电容C1与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3,以及与电容C4相并联的电感L2组成;所述异或门集成芯片U1的输出端与电容C1和电容C2的连接点相连接,异或门集成芯片U2的输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。

所述的振荡电路由场效应晶体管Q1,一端与场效应晶体管Q1的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片U1的输入端相连接的耦合滤波电路,以及与场效应晶体管Q相并联的二极管D组成。

所述的反接保护电路由一端与异或门集成芯片U2的输入端相连接、另一端经二极管D3、继电器K后与异或门集成芯片U2的输出端相连接的熔断器F,以及与继电器K相并联的二极管D4组成,继电器K的常开触点则与电阻R相串接。

为了较好的实现本使用新型,所述电阻R的阻值为4.7 KΩ,所述的耦合滤波电路由相互并联的电感L1和低频滤波电容CT组成。

所述的电容C1、电容C2、电容C3及电容C4均为高压贴片电容。

本发明与现有技术相比,具有以下优点及有益效果:

(1)本发明能彻底解决传统的异或门电路不具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能的缺陷。

(2)本发明具有良好的滤波稳压功能,因此能有效过滤交流电源的一次谐波和二次谐波,延长电子设备的使用寿命。

(3)本发明的性能非常稳定,便于制作和使用,且能最大程度的杜绝使用者的安全隐患。

附图说明

图1为本发明的电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明,但本发明的实施方式不限于此。

实施例

如图1所示,本发明的集成系统包括异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2,与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R,与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路,与异或门集成芯片U1相并联的振荡电路,以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路。

如图所示,该谐振保护电路由场效应晶体管Q2,一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容C1,串接在电容C1与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3,以及与电容C4相并联的电感L2组成;所述异或门集成芯片U1的输出端与电容C1和电容C2的连接点相连接,异或门集成芯片U2的输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。

所述的振荡电路则由场效应晶体管Q1,一端与场效应晶体管Q1的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片U1的输入端相连接的耦合滤波电路,以及与场效应晶体管Q相并联的二极管D组成。为了确保使用效果,该耦合滤波电路优先由相互并联的电感L1和低频滤波电容CT组成。

所述的反接保护电路由一端与异或门集成芯片U2的输入端相连接、另一端经二极管D3、继电器K后与异或门集成芯片U2的输出端相连接的熔断器F,以及与继电器K相并联的二极管D4组成,继电器K的常开触点则与电阻R相串接。

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