[发明专利]蓄电装置用电极及蓄电装置有效
申请号: | 201210293732.5 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN102956888A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 小国哲平;长多刚;竹內敏彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01M4/583 | 分类号: | H01M4/583;H01M4/38;H01M10/0525 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;李浩 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 用电 | ||
1. 一种蓄电装置用电极,包括:
导电层;以及
所述导电层上的活性物质层,
其中,所述活性物质层包含石墨烯、活性物质以及空隙,其中所述活性物质具有不平坦的表面,
所述石墨烯形成为附着于所述活性物质的所述不平坦的表面,并且
包含在所述活性物质层中的所述空隙被所述石墨烯围绕。
2. 根据权利要求1所述的蓄电装置用电极,
其中,包括多个晶须的所述活性物质至少包括芯和形成为覆盖该芯的外壳,
所述芯具有具有结晶性的结构,并且
所述外壳具有非晶结构。
3. 根据权利要求1所述的蓄电装置用电极,
其中,包括多个晶须的所述活性物质包含硅。
4. 根据权利要求1所述的蓄电装置用电极,
其中,所述导电层的材料包含选自钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、钴以及镍中的一种。
5. 根据权利要求1所述的蓄电装置用电极,
其中,包含在所述石墨烯中的氢和碳以外的元素的比率为15at.%以下,或者,包含在所述石墨烯中的碳以外的元素的比率为30at.%以下。
6. 一种包括根据权利要求1所述的电极的蓄电装置。
7. 一种包括根据权利要求6所述的蓄电装置的电子设备。
8. 一种蓄电装置用电极,包括:
导电层;以及
所述导电层上的活性物质层,
其中,所述活性物质层包含石墨烯和包括多个晶须的活性物质,
所述石墨烯形成为附着于包括多个晶须的所述活性物质的表面,并且
所述石墨烯覆盖包括多个晶须的所述活性物质。
9. 根据权利要求8所述的蓄电装置用电极,
其中,在所述活性物质层的平面视上,所述石墨烯形成为连续地扩展在包括多个晶须的所述活性物质上。
10. 根据权利要求8所述的蓄电装置用电极,
其中,包括多个晶须的所述活性物质至少包括芯和形成为覆盖该芯的外壳,
所述芯包括具有结晶性的结构,并且
所述外壳包括非晶结构。
11. 根据权利要求8所述的蓄电装置用电极,
其中,包括多个晶须的所述活性物质包含硅。
12. 根据权利要求8所述的蓄电装置用电极,
其中,所述导电层的材料包含选自钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、钴以及镍中的一种。
13. 根据权利要求8所述的蓄电装置用电极,
其中,包含在所述石墨烯中的氢和碳以外的元素的比率为15at.%以下,或者,包含在所述石墨烯中的碳以外的元素的比率为30at.%以下。
14. 一种包括根据权利要求8所述的电极的蓄电装置。
15. 一种包括根据权利要求14所述的蓄电装置的电子设备。
16. 一种蓄电装置用电极,包括:
导电层;
所述导电层上的活性物质层,其中所述活性物质层包含石墨烯和包括第一晶须及第二晶须的活性物质;
连续地覆盖所述活性物质的第一石墨烯,其中所述第一石墨烯覆盖所述第一晶须及所述第二晶须,并且所述第一石墨烯具有实质上均匀的厚度;以及
第二石墨烯,在所述第一石墨烯上并与所述第一石墨烯接触,
其中,所述第二石墨烯形成在所述第一晶须与所述第二晶须之间,并与所述第一晶须及所述第二晶须连接。
17. 根据权利要求16所述的蓄电装置用电极,
其中,在所述活性物质层的平面视上,所述第一石墨烯形成为连续地扩展在包括所述第一晶须及所述第二晶须的所述活性物质上。
18. 根据权利要求16所述的蓄电装置用电极,
其中,包括所述第一晶须及所述第二晶须的所述活性物质至少包括芯和形成为覆盖该芯的外壳,
所述芯包括具有结晶性的结构,并且
所述外壳具有非晶结构。
19. 根据权利要求16所述的蓄电装置用电极,
其中,包括所述第一晶须及所述第二晶须的所述活性物质包含硅。
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