[发明专利]驱动装置的测试方法及电路测试接口

说明书

技术领域

本发明是有关于一种驱动装置的测试方法及电路测试接口，且特别是有关于一种芯片输出驱动电路的驱动装置的测试方法及电路测试接口。

背景技术

请参照图1，图1为现有的芯片输出驱动电路(off-chip driver，OCD)以及输入缓冲器的电路图。其中，芯片输出驱动电路110的输出端耦接至通硅晶穿孔(Through-Silicon Via，TSV)130。而输入缓冲器120的一个输入端则与通硅晶穿孔130以及芯片输出驱动电路110的输出端相耦接。

传统上来说，针对芯片输出驱动电路110或/及输入缓冲器120进行测试时，必须通过所谓的点针卡(probe card)上的所提供的测试针来与通硅晶穿孔130直接接触，并经由通硅晶穿孔130来传送或接收用来进行测试的电器信号。在功能模式下，芯片输出驱动电路110通过通硅晶穿孔130来与其他的电路元件相接触。通硅晶穿孔130通常所具有的接脚的电容值规格是相对小的。无论如何，由于通硅晶穿孔130的表面积相对小，传统的测试针不能确实的对通硅晶穿孔130执行点针的动作。为了解决这个问题，使用者可以通过芯片上的导线来作为受测的焊垫与通硅晶穿孔130间的连线。这个被连接的受测的焊垫在功能模式下是不会被使用的，其原因在于上述的受测焊垫具有相对大的电容值。这通常会导致通硅晶穿孔130上被观测到的电容值相对高于其所具有的接脚的最大电容值的规格。

发明内容

本发明提供一种电路测试接口，有效降低电路测试所需的成本。

本发明提供一种电路的测试方法，有效降低电路测试所需的成本。

本发明提出一种电路测试接口，包括测试电流传输焊垫、测试电压测量焊垫、至少一驱动电路以及至少一开关模块。驱动电路具有输出端，驱动电路的输出端耦接至通硅晶穿孔(Through-Silicon Via，TSV)。开关模块耦接至1该驱动电路的输出端、2该测试电流传输焊垫以及3该测试电压测量焊垫。

本发明提供一种电路的测试方法，其中，驱动电路包括至少一驱动电路，驱动电路具有输出端，且驱动电路的输出端耦接至通硅晶穿孔，其步骤包括：一方面在一测试电流传输焊垫及一测试电压测量焊垫间建立一电性连接路径，并在另一方面提供对至少一开关模块提供至少一驱动；通过该开关模块导通驱动电路以及测试电流传输焊垫的电性连接路径，并由测试电流传输焊垫接收测试电流；接着，由测试电压测量焊垫测量驱动电路回应测试电流所产生的测试输出电压。

基于上述，在实施例中，测试电流传输焊垫以及测试电压测量焊垫来通过开关模块连接到通硅晶穿孔。并通过测试电流传输焊垫由驱动电路输入或汲出测试电流，再通过测试电压测量焊垫，在测试模式下，提供驱动电路依据测试电流所产生的测试电压的接口，可以不通过直接接触通硅晶穿孔来进行驱动电路的测试。如此一来，驱动电路可以在一般的测试机台下进行测试，减低电路测试的成本。并且，在功能模式下，通硅晶穿孔与驱动电路间的连接会被切断，因此，驱动电路可以维持正常的动作。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。这些实施例都清楚描述并使本领域技术人员可以实施本发明。另外，可以被理解的，在不脱离本发明的精神下，本发明另有多个实施例可以通过变更本发明的实施例来完成。因此，本发明实施例的动作细节并不用来限制本发明。

附图说明

图1为现有的芯片输出驱动电路(off-chip driver，OCD)以及输入缓冲器的电路图；

图2为本发明的一实施例的电路测试接口200的示意图；

图3为本发明实施例的开关模块240的一实施方式的示意图；

图4为本发明另一实施例的电路测试接口400的示意图；

图5为本发明实施例的驱动装置的测试方法500的流程图。

附图标记说明：

110：芯片输出驱动电路；

120：输入缓冲器；

130：通硅晶穿孔；

200、400：电路测试接口；

210、411～413：驱动电路；

240、441～443：开关模块；

230、431～433：通硅晶穿孔；

TEN、TENB、TEN1～TEN3：测试致能信号；

MP、MN：晶体管；

OUT、OUT1～OUT3：输出端；

VDD：参考电压；

GND：接地电压；