[发明专利]具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210154266.2 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102677163A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 陈志文;李全宝;陈琛;刘延雨;王利军;焦正;吴明红 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/02;C30B29/08;C30B33/02;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 锗晶分形团簇 al ge 双层 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法，其特征在于具有以下过程和步骤：
a. 将一定质量的高纯Ge(纯度99.9999 wt.%)和高纯Al(纯度99.9 wt.%)分别放置于真空热蒸发装置中的钼舟上；
衬底选择洁净的单晶Si(100)晶面；在室温下当真空度优于2.67×10-3Pa时，先蒸发半导体Ge，通过调节电流和电压的大小，控制Ge的蒸发沉积速率约为0.5到1 ?/S；然后再蒸发金属Al，沉积速率约为5到10 ?/S， 通过膜厚显示仪控制Al和Ge薄膜厚度分别为40和45 纳米；即可得到室温下的Al/Ge双层膜；
b. 将室温条件下制备的Al/Ge双层膜置于管式炉中，在氮气氛围保护下，将薄膜样品在300 ℃~500 ℃范围退火60分钟；管式炉采用程序控温，升温速率为5 ℃/S，恒温退火后，自然冷却，在整个退火过程中保持氮气的持续流通；退火温度为400 ℃时，成功获得分形维数为1.82和1.88的Ge分形团簇纳米薄膜，表现出细枝杈和开放的结构，为具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的最佳温度。
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