[发明专利]一种压接结构的电流型CZT探测器有效
| 申请号： | 201210133723.X | 申请日： | 2012-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102798882A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 欧阳晓平;赵晓川;刘芳;刘洋;刘金良;陈亮;张子川;蒋飞军;王伟 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 71002*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 电流 czt 探测器 | ||
1.一种压接结构的电流型CZT探测器，其特征在于：包括屏蔽壳体、设置在屏蔽壳体外的两个电缆转接器、设置在屏蔽壳体内的通孔以及设置在通孔内的CZT晶体、导电垫环、电极和压盖；所述CZT晶体的两侧表面镀有导电层；所述导电垫环、电极和压盖分为两组且对称分布在CZT晶体的两侧，其中导电垫环与CZT晶体两侧分别接触，电极与相应的导电垫环接触，压盖将电极和导电垫环固定在屏蔽壳体内并压紧在CZT晶体上；所述电极通过导线与电缆转接器分别连接；所述通孔的一端设置有供射线通过的前窗，其另一端设置有后密封盖。
2.根据权利要求1所述的压接结构的电流型CZT探测器，其特征在于：所述通孔中部设置有定位环，所述定位环的厚度小于CZT晶体的厚度，其内径与CZT晶体的外径相一致。
3.根据权利要求1或2所述的压接结构的电流型CZT探测器，其特征在于：所述CZT晶体为碲锌镉半导体材料，其两侧表面的导电层为镀金层，镀金层厚度为50nm～200nm；所述导电垫环为极低电阻率的软质导电材料。
4.根据权利要求3所述的压接结构的电流型CZT探测器，其特征在于：所述导电垫环是掺铝银粉的导电密封Si橡胶片，体电阻率小于0.005Ω·cm。
5.根据权利要求4所述的压接结构的电流型CZT探测器，其特征在于：所述电极材料为铜或铝；所述压盖材料为聚四氟乙烯；所述前窗采用Al、Pb、Fe或Be材料；所述屏蔽壳体材料为DT4电磁纯铁。
6.根据权利要求3所述的压接结构的电流型CZT探测器，其特征在于：所述电垫环材料为碳纳米管+聚四氟乙烯混合体，体电阻率小于0.0005Ω·cm。
7.根据权利要求6所述的压接结构的电流型CZT探测器，其特征在于：所述电极材料为铜或铝；所述压盖材料为聚四氟乙烯；所述前窗采用Al、Pb、Fe或Be材料；所述屏蔽壳体材料为DT4电磁纯铁。
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