[发明专利]基材膜及转印箔有效
申请号: | 201210104959.0 | 申请日: | 2006-11-08 |
公开(公告)号: | CN102642366A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 药师堂健一;桥本幸吉;木村将弘 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | B32B27/36 | 分类号: | B32B27/36;B41M5/44 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 转印箔 | ||
1.一种基材膜,至少含有聚酯层、由结晶性参数ΔTcg为35℃以下的高结晶性聚酯形成的高结晶性聚酯层,所述高结晶性聚酯含有50~100质量%选自聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸丙二醇酯及聚萘二甲酸丁二醇酯中的至少一种,
构成所述高结晶性聚酯层的聚酯的结晶化指数Xs与构成所述聚酯层的聚酯的结晶化指数Xc满足Xs-Xc≥4%的关系,
所述聚酯层及所述高结晶性聚酯层的面取向系数为0.00~0.05的范围,
结晶性参数:ΔTcg(℃)=Tc-Tg
此处,Tc为在差示扫描热量测定的升温过程中观察到的冷结晶化温度,Tg为玻璃化温度,
结晶化指数:X(%)=(Sm-Sc)/Sm×100
此处,Sc为使用差示热分析仪得到的结晶化时的发热量,Sm为使用差示热分析仪得到的结晶化时的熔化时的吸热量。
2.如权利要求1所述的基材膜,其中,构成所述聚酯层的聚酯的玻璃化温度在60~78℃的范围内。
3.权利要求1或2所述的基材膜,其中,所述高结晶性聚酯层层合在所述聚酯层的两面。
4.一种转印箔,含有权利要求1~3中任一项所述的基材膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东丽株式会社,未经东丽株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210104959.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。