[发明专利]膜转移框架有效
申请号: | 201210085259.1 | 申请日: | 2012-03-28 |
公开(公告)号: | CN102738035A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | J·S·弗兰克尔 | 申请(专利权)人: | 埃尔塔设备公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 刘博 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 框架 | ||
发明背景
本公开内容大致涉及半导体装置制造工艺领域,且更具体涉及半导体装置传送框架领域。
如图1A所示,太阳能电池的制造工艺涉及将多个层连续沉积到基板上。在一个实施方案中,如图1A所示,多个层包括牺牲层、外延层、金属层和聚酯(PET)膜层。如图1B所示,当牺牲层被蚀刻掉时,剩余层(例如,外延层、金属层和PET膜层)随后可进行进一步处理,例如清洗和其它处理步骤。所得带聚酯(PET)膜和砷化镓层的小的、单一薄塑料片太脆弱无法被传送穿过标准的处理工具。膜对于输送系统来说质量和尺寸稳定性不足;其容易浮在化学水浴中;且其无法承受气体或流体的撞击流。但是,框架赋予膜足够的大小和尺寸稳定性以供自动化设备处理并且通过处理设备在环境中将膜保持任意定向。
过去,使用例如图2所示的带两件式夹子204的框架202装载这些膜进行处理。过去,使用在每个相对边缘上具有夹子204的两件式总成。这需要将PET膜总成装入两件式总成中的手动过程。这个过程耗劳力并且限制制作太阳能电池的速度。其并不适合自动化。其它实施方案也使用PET膜中的孔,该孔随后与框架上的附件对齐。这也导致耗劳力的手动过程,其非常耗时,同时还不适合自动化。
发明概述
本发明针对处理单一膜,例如其上方具有一层砷化镓的PET膜所固有的困难提供解决方案。在根据本公开内容的一个实施方案的系统中,公开一种用于将膜固定在单件式框架上的系统。系统包括具有带大于膜的中心开放区域的形状的框架,该框架包括在框架上延伸到开放区域中的多个指状物和定位在多个指状物中的每一个的末端上的倒刺,其中倒刺固定膜。系统还包括末端执行器,该末端执行器包括第一多个真空管线开口和第二多个真空管线开口,其中末端执行器用第一多个真空管线开口固定到膜上并且用第二多个真空管线开口固定到框架上,其中末端执行器用第一多个真空管线开口拾起膜并且将膜压到框架上,其中将膜压到框架上将膜固定在倒刺上。在根据本发明的一个实施方案的方法中,公开一种用于将膜固定在单件式框架上的方法。用于将膜固定在单件式框架上的方法从用末端执行器拾起膜开始,其中末端执行器用第一多个真空管线开口拾起膜。接下来,末端执行器用末端执行器将膜移动到单件式框架并且将膜压到框架上以固定膜,其中框架包括具有带大于膜的中心开放区域的形状,框架包括:在框架上延伸到开放区域中的多个指状物和其定位在多个指状物中的每一个的末端上的倒刺,其中倒刺通过刺穿膜而固定膜。
用于将膜固定在单件式框架上的系统包括具有带大于膜的中心开放区域的形状的框架,框架包括在框架上延伸到开放区域中的多个指状物和定位在多个指状物中的每一个的末端上的倒刺,其中倒刺固定膜。系统还包括末端执行器,该末端执行器包括第一多个真空管线开口和第二多个真空管线开口,其中末端执行器用第一多个真空管线开口固定到膜上并且用第二多个真空管线开口固定到框架上,其中末端执行器用第一多个真空管线开口拾起膜并且将膜压到框架上,其中将膜压到框架上将膜固定在倒刺上。
附图简述
阅读下文结合附图(其中相同附图标记指示相同元件)进行的详细描述可以更好地了解本发明。
第1A图图示了根据本公开内容的一个实施方案的半导体装置的示意横截面。
第1B图图示了根据本公开内容的一个实施方案的半导体装置的示意横截面。
第2图图示了带夹子的单膜现有技术固定框架的俯视图;
第3图图示了根据本公开内容的一个实施方案的带用于固定膜的多个微型倒刺的单膜固定框架的俯视图;
第4图图示了根据本公开内容的一个实施方案的带附接到微型倒刺的膜的第3图的固定框架的俯视图;
第5图图示了根据本公开内容的一个实施方案的第3图的固定框架的微型倒刺的特写图;
第6图图示了根据本公开内容的一个实施方案的带用于固定膜的多个真空管线开口的末端执行器和固定框架的俯视图;
第7图图示了根据本公开内容的一个实施方案的固定框架和末端执行器的俯视图;和
第8图图示了流程图,其图示了根据本公开内容的一个实施方案的方法的步骤。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造