[发明专利]一种翡翠绿镀膜玻璃及其制作方法有效
申请号: | 201210078085.6 | 申请日: | 2012-03-22 |
公开(公告)号: | CN102617048A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 姚联根;陈海平;杨德兵;屠松柏 | 申请(专利权)人: | 联海(国际)玻璃技术有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;B32B15/04 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 313200 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 翡翠 镀膜 玻璃 及其 制作方法 | ||
1.一种翡翠绿镀膜玻璃,包括玻璃基片(1),其特征在于:所述玻璃基片(1)上依次设有氮化硅底层(2)、氧化锌层(3)、金属铬层或金属钛层或金属铋层(4)、金属银层(5)、氧化镍铬层(6)、氧化锌保护层(7)、氮化硅保护层(8)及氧化钛层(9)。
2.根据权利要求1所述的一种翡翠绿镀膜玻璃,其特征在于:所述玻璃基片(1)的厚度为6-10mm,所述氮化硅底层(2)的厚度为75-83nm,所述氧化锌层(3)的厚度为25-33nm,所述金属铬层或金属钛层或金属铋层(4)的厚度为6-8nm,所述金属银层(5)的厚度为4.6-5.1nm,所述氧化镍铬层(6)的厚度为13-16nm,所述氧化锌保护层(7)的厚度为35-43nm,所述氮化硅保护层(8)的厚度为71-79nm,所述氧化钛层(9)的厚度为9-11nm。
3.根据权利要求2所述的一种翡翠绿镀膜玻璃,其特征在于:所述玻璃基片(1)的厚度为6mm。
4.根据权利要求3所述的一种翡翠绿镀膜玻璃,其特征在于:所述氮化硅底层(2)的厚度为77nm,所述氧化锌层(3)的厚度为26nm,所述金属铬层或金属钛层或金属铋层(4)的厚度为7nm,所述金属银层(5)的厚度为4.8nm,所述氧化镍铬层(6)的厚度为14nm,所述氧化锌保护层(7)的厚度为37nm,所述氮化硅保护层(8)的厚度为73nm,所述氧化钛层(9)的厚度为9nm。
5.一种翡翠绿镀膜玻璃的制作方法,其特征在于包括以下步骤:
a):将6-10mm厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净,然后将离线高真空磁控溅射设备的基础真空度设置在10-3Pa,线速度设置为1.5-2m/min;
b):将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中,设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为105-115KW,在玻璃基片上溅射第一层75-83nm的氮化硅底层(2);
c):设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为22-24KW,在玻璃基片上溅射第二层25-33nm的氧化锌层(3);
d):设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为4.0-4.5KW,在玻璃基片上溅射第三层6-8nm金属铬层或金属钛层或金属铋层(4);
e):设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为5.1-6.0KW,在玻璃基片上溅射第四层4.6-5.1nm的金属银层(5);
f):设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为7-9KW,在玻璃基片上溅射第五层13-16nm的氧化镍铬层(6);
g):设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为26-32KW,在玻璃基片上溅射第六层35-43nm的氧化锌保护层(7);
h):设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为99-103KW,在玻璃基片上溅射第七层71-79nm的氮化硅保护层(8);
i):设置第八离线高真空磁控溅射设备的功率为57-61KW,在玻璃基片上溅射第八层9-11nm的氧化钛层(9)。
6.根据权利要求5所述的一种翡翠绿镀膜玻璃的制作方法,其特征在于:
所述步骤a)中,所述玻璃基片厚度为6mm;
所述步骤b)中,设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为104KW,在玻璃基片上溅射第一层77nm的氮化硅底层(2);
所述步骤c)中,设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为23KW,在玻璃基片上溅射第二层26nm的氧化锌层(3);
所述步骤d)中,设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为4.2KW,在玻璃基片上溅射第三层7nm金属铬层或金属钛层或金属铋层(4);
所述步骤e)中,设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为5.5KW,在玻璃基片上溅射第四层4.8nm的金属银层(5);
所述步骤f)中,设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为7.5KW,在玻璃基片上溅射第五层14nm的氧化镍铬层(6);
所述步骤g)中:设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为26KW,在玻璃基片上溅射第六层37nm的氧化锌保护层(7);
所述步骤h)中,设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为101KW,在玻璃基片上溅射第七层73nm的氮化硅保护层(8);
所述步骤i)中,设置第八离线高真空磁控溅射设备的功率为59 KW,在玻璃基片上溅射第八层9nm的氧化钛层(9)。
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