[发明专利]显示器和电子设备有效
申请号: | 201210077386.7 | 申请日: | 2012-03-22 |
公开(公告)号: | CN102738197A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 寺口晋一;尾本启介;郡山广久;福永容子;荒井俊明;远藤和之 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32;G09G3/34;G09G3/36;G02F1/1343;G02F1/133 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示器 电子设备 | ||
技术领域
本公开涉及显示彩色图像的显示器和电子设备。
背景技术
在诸如有机电致发光(EL)显示器和液晶显示器的图像显示器中,在显示面板中提供用染料着色的滤色器来进行彩色图像显示。近年来,已经开发了使用阵列上滤色器(COA)技术的显示器,其中这样的滤色器布置在像素驱动基板上。
但是,在滤色器提供在像素驱动基板上的情况下,滤色器中包括的着色材料可能导致所谓的介电损耗因子,并对像素电路具有电影响。结果,像素电路中的显示器电势波动,导致降低显示质量的不便。此外,在具有在水平电场模式下被驱动用于显示的液晶层的显示器中,即使当滤色器被提供在对立板侧,也导致类似的不便,因为电场被产生为跨过滤色器。
因此,已经提出通过使用以特定密度的特定着色材料使得滤色器中的介电损耗因子等于或小于预定值,来降低对显示质量的影响的技术(国际公开号WO09/087886)。此外,也已经提出了在水平电场模式的液晶显示器中通过降低被认为对介电损耗因子具有相对大的影响的特定颜色(G)的滤色器的厚度(通过将该滤色器布置在远离电场的位置处)来降低上述影响的技术(日本未审查专利申请公开号2008-249947)。
发明内容
近来,日益需要颜色再现范围的改善,并且为此需要,期望增加滤色器中的着色材料的密度。但是,在上述国际公开号WO09/087886的技术中,通过指定着色材料及其密度将介电损耗因子维持在恒定值或更小,因此极难在通过增加着色材料的密度而改善颜色再现范围的同时抑制介电损耗因子。另一方面,难以将日本未审查专利申请公开号2008-249947的技术应用于使用COA技术的结构。因此,期望将实现降低通过布置滤色器对像素电路的电影响(例如对介电损耗因子的影响)的技术。
考虑到上述,期望提供可以降低滤色器对像素电路的电影响由此抑制显示质量的恶化的显示器和电子设备。
根据本公开的实施例,提供了一种显示器,包括:具有滤色器的像素驱动基板;被提供在该像素驱动基板上的显示功能层;第一电极和第二电极,用于向该显示功能层提供驱动电压;以及被布置为面对该滤色器的第三电极。
在根据本公开的上述实施例的显示器中,在具有滤色器的像素驱动基板上,除了驱动该显示功能层的第一电极和第二电极之外,第三电极被提供为面对该滤色器。为第三电极提供电势降低了滤色器中的杂质离子的行为产生的影响,并且使得难以引起像素电路中保持的显示电势的波动,即使当通过滤色器产生介电损耗因子时。
根据本公开的实施例,提供了一种包括显示器的电子设备,该显示器包括:具有滤色器的像素驱动基板;被提供在该像素驱动基板上的显示功能层;第一电极和第二电极,用于向该显示功能层提供驱动电压;以及被布置为面对该滤色器的第三电极。
根据本公开的实施例中的电子设备和显示器,除了驱动该显示功能层的第一电极和第二电极之外,第三电极被提供为在具有滤色器的像素驱动基板上面对该滤色器,因此能够抑制像素电路中保持的显示电势的波动,即使当通过滤色器产生介电损耗因子时。因此可以降低滤色器对像素电路的电影响,并且由此可以抑制显示质量的恶化。
要理解,以上概括描述和以下详细描述两者都是示例性的,并且意图提供对要求保护的技术的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供对本公开的进一步理解,并且附图被并入此说明书中并构成说明书的一部分。附图例示了实施例并且与说明书一起用于说明技术的原理。
图1是例示根据本公开的第一实施例的有机EL显示器的示意配置的截面图。
图2是例示图1所示的有机EL显示器中的像素驱动电路的示例的功能框图。
图3是例示图2中所示的像素的电路配置的图。
图4是例示根据比较示例的有机EL显示器的示意配置的截面图。
图5是与像素电路(有机EL设备)一起例示滤色器等效电路的图。
图6A和6B是用于说明滤色器比较示例中的像素电路的影响的示意图。
图7A和7B是用于说明通过提供第三电极产生的效果的示意图。
图8是例示在示例和比较示例中阴极电流随时间的改变的特性图。
图9是用于说明修改1中的屏蔽效果的示意图。
图10是例示根据本公开的第二实施例的有机EL显示器的示意配置的截面图。
图11是例示图10所示的电极层的平面结构的示例的示意图。
图12是用于说明第二实施例中的电场的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的