[发明专利]显示装置和电子设备无效
申请号: | 201210076912.8 | 申请日: | 2012-03-21 |
公开(公告)号: | CN102738196A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 浅木玲生;山田二郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 电子设备 | ||
相关申请的交叉引用
本申请包含与2011年3月30日向日本专利局提交的日本专利申请JP2011-075470中公开的相关主题并要求其优先权,将其全部内容通过引用并入此处。
技术领域
本发明涉及使用有机电致发光(EL)、无机EL等的自发光型显示装置以及设有所述显示装置的电子设备。
背景技术
在全色显示装置中,当使用白光发光元件时,通过使用滤色器而生成红、绿、蓝三原色的光,从而显示彩色图像。而且,在使用红、绿、蓝三原色的发光元件的情况下,也可使用滤色器以提高色纯度。而且,为了提高对比度,在滤色器的边界处设有遮光性黑矩阵。
在将滤色器和遮光性黑矩阵一起使用的情况下,黑矩阵成为衍射光栅,且透过相邻滤色器的光发生衍射,从而导致混色。为了抑制由黑矩阵引起的衍射现象,有人提议了设置从黑矩阵的边缘到开口的光密度梯度(例如,参照日本未审查专利申请2010-8861号公报)。
发明内容
然而,存在这样的问题,即,在发光元件尺寸小的情况下,在黑矩阵的边缘处设置光密度梯度是极其困难的。
鉴于以上情况,期望提供即使当发光元件尺寸小时仍能抑制由透过相邻滤色器的光的衍射所引起的混色的一种显示装置以及一种设有所述显示装置的电子设备。
根据本发明的一个实施方式,提供了一种显示装置,该显示装置包括多个发光元件和滤色器,该滤色器具有面向多个发光元件的透色区(transmission color region)以及在透色区的一部分处设置的半透射区。
在本发明的实施方式的显示装置中,每个所述多个发光元件中发出的光在透过面向所述发光元件的透色区后被提取,但所发出的光的一部分入射至相邻透色区。此处,在透色区的一部分处设置有半透射区,于是,入射至相邻透色区的这一部分光通过半透射区。因此,在透过相邻透色区的光与透过相邻透色区和半透射区的光之间产生相位差,使得它们互相抵消。这降低了由透过相邻透色区的光的衍射所引起的混色。
根据本发明的一个实施方式,提供了一种包括显示装置的电子设备,所述显示装置具有多个发光元件和滤色器,该滤色器具有面向多个发光元件的透色区和在透色区的一部分处设置的半透射区。
在根据本发明的实施方式的电子设备中,由所述显示装置来显示图像。
根据本发明的实施方式的显示装置或电子设备,在滤色器的透色区的一部分处设置有半透射区。因此,即便在发光元件尺寸小的情况下,仍可抑制由透过滤色器的相邻透色区的光的衍射所引起的混色。
应当理解,以上一般性描述和以下详细说明均为示例性的,并且旨在对所要求保护的本发明作进一步的解释。
附图说明
本申请包括了附图以便于人们进一步理解本发明,且将附图并入以构成本申请文件的一部分。附图图示了各实施方式,并且与申请文件一起用于说明本发明的原理。
图1为表示了本发明的一个实施方式的显示装置的配置图。
图2为表示了图1所示的像素驱动电路的例子的图。
图3为表示了图1所示的显示区的概略配置且还表示了半透射区的第一示例的横截面图。
图4为表示了半透射区的第二示例的图。
图5为表示了半透射区的第三示例的图。
图6为表示了第三示例的另一例子的图。
图7为表示了半透射区的第四示例的图。
图8为表示了第四示例的另一例子的图。
图9为表示了半透射区的第五示例的图。
图10为表示了第五示例的另一例子的图。
图11为表示了半透射区的第六示例的图。
图12为表示了第六示例的另一例子的图。
图13为表示了由衍射所引起的混色的原理的图。
图14为表示了透过相邻透色区的光的辉度的图。
图15为表示了与设有图13所示的现有黑矩阵的情况相比较的、使各第一示例~第四示例中的半透射区的混色率降低的效果的图。
图16为表示了与设有图13所示的现有黑矩阵的情况相比较的、设有第一示例的半透射区的情况下的透过相邻透色区的光的辉度的图。
图17为表示了与设有图13所示的现有黑矩阵的情况相比较的、设有第三示例的半透射区的情况下的透过相邻透色区的光的辉度的图。
图18为表示了与设有图13所示的现有黑矩阵的情况相比较的、设有各第一示例~第四示例的半透射区的情况下的颜色再现范围。
图19为表示了图3所示的发光元件的配置的横截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的