[发明专利]一种高可靠性的光纤阵列U槽及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210075812.3 申请日: 2012-03-20
公开(公告)号: CN102608698A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 缪建民 申请(专利权)人: 缪建民
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12;G02B6/13
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 殷红梅
地址: 江苏省无锡市滨湖区高浪路999号*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 可靠性 光纤 阵列 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种光纤阵列U槽及其制造方法,尤其是一种高可靠性的光纤阵列U槽及其制造方法,属于光纤通讯的技术领域。

背景技术

当前,我国FTTx(光纤接入网)建设逐步展开,三大运营商及广电系统都确定了“加快光进铜退、推进接入网战略转型”的思路,实现FTTC(光纤到路边)、FTTB(光纤到大楼)、FTTH(光纤到家庭)、FTTD(光纤到桌面)、三网融合(语音网、数据网、有线电视网)等多媒体传输以及PDS(综合布线系统)方案。FTTX中比较关键的器件就是光纤阵列分路器,分路器中的关键器件之一就是光纤阵列,而V型槽就是光纤阵列中的关键。

目前国内外生产光纤阵列V型槽大都分为三类。第一类采用机械加工的方法,采用金刚砂切割刀在玻璃片上切割出所需的V槽,玻璃成本低,但切割过程中金刚刀被磨损,需不断修磨,磨损的金刚刀也导致V槽形状改变,不能满足精度要求;制作多槽的V型槽时,如大于32槽时,由于设备不断积累的误差从而导致精度降低,良率下降,因此采用机械方法加工大于32槽的V型槽的成本很高。

第二类采用硅晶片作为基材用湿法腐蚀的方法加工V型槽,此方法采用光刻的技术,各向异性湿法刻蚀硅晶片,没有机械加工导致的累积误差,故精度不受V槽数量的限制,利用硅片的各向异性的特点,腐蚀出的V槽形状一致;但是由于光纤和PLC芯片等均是石英材质,硅和石英的热膨胀系数相差约1个数量级,分路器使用过程中会因为温度变化导致光纤位置偏移,从而增加损耗,降低分路器的可靠性。

第三类目前鲜有采用石英片作为基材用湿法腐蚀的方法加工U型槽,此方法采用光刻的技术,湿法刻蚀石英片,精度不受槽数量限制,且材质为石英,与光纤及PLC芯片材料一致,热稳定性好。但是由于各向同性腐蚀率为1∶1,得到的U槽的侧壁与槽面的夹角约为90°,侧壁与槽面的交界处应力较大,受力易崩坏,且光纤容易损坏,传输损耗增加,影响光纤阵列的性能及良率,同时也降低了光纤阵列受力时的可靠性。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种高可靠性的光纤阵列U槽及其制造方法,其结构紧凑,能降低传输损耗,提高光纤阵列组装的良率,降低组装成本,安全可靠。

按照本发明提供的技术方案,所述高可靠性的光纤阵列U槽,包括基板;所述基板内凹设有若干均匀分布的U槽,相邻U槽间通过棱间隔;U槽的侧壁与基板表面间的夹角θ小于90度。

所述基板的材料为玻璃或石英。所述U槽的侧壁与基板表面间的夹角θ为70~80°。

所述U槽开口的宽度大于U槽在基板内的深度;且U槽的深度低于基板的厚度。

所述U槽内通过UV胶层安装有光纤,并在基板的上方压盖有盖板。

一种高可靠性的光纤阵列U槽制造方法,所述光纤阵列U槽制造方法包括如下步骤:

a、提供所需的基板,并在所述基板的表面上淀积第一遮挡层;

b、在上述基板的表面上淀积第二遮挡层,所述第二遮挡层覆盖于第一遮挡层上;

c、在上述第二遮挡层上旋涂光刻胶层,并选择性地掩蔽和刻蚀光刻胶层,得到第一定位孔,所述第一定位孔从光刻胶层的表面延伸到第二遮挡层;

d、在第一定位孔导向定位下,对第二遮挡层进行湿法刻蚀,得到第二定位孔,所述第二定位孔从光刻胶层的表面延伸到第一遮挡层;

e、在第二定位孔导向定位下,对第一遮挡层进行湿法刻蚀,得到第三定位孔,所述第三定位孔从光刻胶层的表面延伸到基板的表面;

f、去除基板上方的光刻胶层;

g、在第三定位孔导向定位下,采用湿法腐蚀对基板进行刻蚀,在基板内得到U槽,所述U槽与上方对应的第三定位孔相连通;

h、去除上述基板上方的第二遮挡层;

i、去除上述基板表面上的第一遮挡层。

所述第一遮挡层的材料包括Cr或Ti,第一遮挡层的厚度为5~20nm。

所述第二遮挡层的材料包括Au、Cu、或Mo;第二遮挡层的厚度为300nm~1000nm。

所述步骤g中,采用氢氟酸溶液对基板进行腐蚀。

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