[发明专利]新型低压制程高导电之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池无效
申请号: | 201210061344.4 | 申请日: | 2012-03-10 |
公开(公告)号: | CN103311360A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 陈政宏;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201707 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 压制 导电 电极 用于 铜铟镓硒 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明关于一种新型低压制程高导电之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池,其目的在于大幅增加铜铟镓硒太阳能电池的质量,经由提高钼背电极的导电性,进而达到高生产量率及高效率之铜铟镓硒太阳能电池。
背景技术
由于能源价格高涨,全球各地皆再寻求替代的绿色能源,铜铟镓硒太阳能电池即是一种将太阳光转换成电能的有效率的绿色能源。
目前,业界大多采用一般金属电极之铜铟镓硒太阳能电池,但此方式仍有低发电效率的缺点存在,其中造成太阳能电池价格过高,无法有效普及化应用于生活中的一大因素。
发明内容
本发明主要目的系一种新型低压制程高导电之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池,此技术方法于使用真空溅镀法在低压下制作高导电性之钼背电极,其目的在于大幅增加铜铟镓硒太阳能电池的质量及生产良率,且提高铜铟镓硒太阳能电池的短路电流,进而达到生产成本降低及高效率之铜铟镓硒太阳能电池。
一种新型低压制程高导电之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池,其制程特征在于,包含了:
一溅镀腔主体;
一供给低压氩气系统;
一钼金属靶材;
一玻璃基板;
一直流高压电系统;
一高真空泵;
其中,该供给低压氩气系统提供高纯度高压氩气,以制备高导电性之背电极。
其中,该钼金属靶材使用高纯度钼金属,以制备高质量之背电极。
与传统铜铟镓硒太阳能电池技术作比较,本发明具有的有效效益为:
本发明所使用的新型低压制程高导电之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池,包含了溅镀腔主体、供给低压氩气系统、钼金属靶材、玻璃基板、直流高压电系统、高真空泵。利用溅镀低压制程制作钼背电极,有效提升铜铟镓硒太阳能电池的质量及生产良率,进而获得高效率铜铟镓硒太阳能电池,并降低生产成本达到符合市场需求的目的。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明之新型低压制程高导电之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池的新型溅镀制程设备结构图。
主要组件符号说明。
1 …溅镀腔主体。
2 …供给低压氩气系统。
3 …钼金属靶材。
4 …玻璃基板。
5 …直流高压电系统。
6 …高真空泵。
具体实施方式
兹将本发明配合附图,详细说明如下:
参照图1,是本发明新型低压制程高导电之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池的新型溅镀制程设备结构图。
其中包含了溅镀腔主体1、供给低压氩气系统2、钼金属靶材3、玻璃基板4、直流高压电系统5、高真空泵6。
为了能够制备高导电钼背电极之铜铟镓硒太阳能电池,其溅射制程设备如下:溅镀腔主体1、供给低压氩气系统2、钼金属靶材3、玻璃基板4、直流高压电系统5、高真空泵6。利用溅镀系统并通入低压氩气,再施加直流高电压将氩气激发为氩气离子,并撞击钼金属靶材使其钼金属沉积在玻璃基板上,形成高导电性之钼背电极,并制备成高质量高效率之铜铟镓硒太阳能电池。
以上说明,对本发明而言只是说明性的,非限制性的,本领域普通技术人员理解,在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下,可作出许多修正、变化或等效,但都将落入本发明的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的