[发明专利]Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极的制备方法和应用有效
| 申请号： | 201210059096.X | 申请日： | 2012-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN103194774A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 渠凤丽;孙海宜;田雪 | 申请（专利权）人： | 曲阜师范大学 |
| 主分类号： | C25D7/00 | 分类号： | C25D7/00;C25D9/04;G01N27/327 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 273165 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pd 纳米 阵列 溶胶 凝胶 修饰 电极 制备 方法 应用 | ||
1.一种Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
配制TEOS、钠盐或钾盐、HCl、CTAB、以及PdCl2的醇水溶液，得溶胶体系，其中，醇和水的体积比为1/2～2；TEOS的浓度为100～150mM，钠盐或钾盐的浓度为50～100mM，CTAB的浓度为3～8mM，HCl的浓度为4～10mM，PdCl2溶液的质量溶度为0.01％～0.03％；
将工作电极浸入所述溶胶体系，在-1～-1.3V的电位下沉积40～80S。沉积完毕后将电极取出，用水冲洗，晾干，获得Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极。
2.如权利要求1所述的Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极的制备方法，其特征在于，醇水溶液为乙醇和水的混合溶液。
3.如权利要求2所述的Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极的制备方法，其特征在于，所述乙醇和水的体积比为1∶1。
4.如权利要求1所述的Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极的制备方法，其特征在于，Pd纳米棒阵列中Pd纳米棒的直径为40～60nm，长度为200～300nm。
5.如权利要求1所述的Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极的制备方法，其特征在于，所述钾盐和钠盐为硝酸钾或硝酸钠。
6.如权利要求1所述的Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极的制备方法，其特征在于，所述CTAB的浓度为4～6mM。
7.如权利要求1所述的Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极的制备方法，其特征在于，所述HCl的浓度为5～7mM。
8.如权利要求1～7所述的Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极的制备方法所获得的Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极在分离和检测中的应用。
9.如权利要求1～7所述的Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极的制备方法所获得的Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极在葡萄糖无酶检测中的应用。
10.如权利要求1～7所述的Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极的制备方法所获得的Pd纳米棒阵列/溶胶-凝胶膜修饰电极在多巴胺和尿酸检测中的应用。
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