[发明专利]一种谐振腔

说明书

技术领域

本发明涉及射频器件，更具体地说，涉及一种谐振腔。

背景技术

谐振腔是介质滤波器的重要部分，特定的谐振腔具有特定的谐振频率。在谐振腔具有一个空腔，空腔内放入具有一定形状的介质如陶瓷作为谐振子，能够获得所需的模式如TE模或TM模或多种模式，不同的模式对应着不同的谐振频率。如图1所示，谐振腔的腔体2上设有腔盖1从而形成一个封闭空间，空间内放入有中间有通孔的圆柱形谐振子3。为了对谐振腔的谐振频率进行调整，在谐振子3的正上方设有一个介质如陶瓷做成的圆盘5，通过圆盘5上连接的连杆4调节圆盘5与谐振子3之间的距离，即可在一定范围内调整谐振腔的谐振频率。但是缺点在于，当腔内的陶瓷谐振子的介电常数非常高时，由于电磁场都集中振子内部，使得腔内振子外部的场强非常的弱，这就造成了圆盘5的频率调节范围非常有限，有时候甚至只能有几兆的范围，而此调谐范围一般需满足相对带宽的5％～15％，所以当腔内振子介电常数过高，或者带宽超过百兆或需求更宽的时候，此调谐装置对谐振腔来说，作用不甚明显。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述圆盘对谐振频率的调节范围较小的缺陷，提供一种谐振频率调节范围宽的谐振腔。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种谐振腔，包括腔体和位于所述腔体内的谐振子，所述谐振子中间设有第一通孔，所述谐振腔还包括调谐盘，所述调谐盘正对着所述谐振子且具有与所述第一通孔同轴的第二通孔。

在本发明所述的谐振腔中，所述谐振腔还包括连接在所述调谐盘上以调节所述调谐盘到谐振子的距离的调节机构。

在本发明所述的谐振腔中，所述调节机构为固定连接于所述调谐盘上且伸出到腔体外的连杆。

在本发明所述的谐振腔中，所述调节机构包括固定连接在所述调谐盘上且伸出腔体外的齿条和与之配合的齿轮。

在本发明所述的谐振腔中，所述谐振子为中间设有通孔的圆柱形结构。

在本发明所述的谐振腔中，所述调谐盘的外径与所述谐振子外径相同，第一通孔与第二通孔的直径相同。

在本发明所述的谐振腔中，所述调谐盘的厚度远小于所述谐振子的高度。

在本发明所述的谐振腔中，所述谐振子位于所述谐振腔正中间，且高度小于谐振腔的二分之一。

在本发明所述的谐振腔中，所述调谐盘的材料为金属。

在本发明所述的谐振腔中，所述调谐盘的材料为银、铜或金。

实施本发明的谐振腔，具有以下有益效果：设有通孔的调谐盘附近能形成与谐振子附近相同的模场，从而对谐振腔的谐振频率的影响增大，提高了调谐盘的频率调整范围。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1是现有技术的谐振腔的剖视图；

图2是本发明优选实施例的谐振腔的剖视图。

具体实施方式

本发明涉及一种谐振腔，如图2所示，包括腔体20、腔体20两个相对平行的侧壁上分别设置的输入端和输出端(图中未示出)、该在腔体20上形成封闭空间的腔盖10、置于该封闭空间内的谐振子30、谐振子30正上方的调谐盘50以及连接调谐盘50并伸出腔盖10外部的调节机构。该调节机构用以调节调谐盘50到谐振子30的距离，本实施例的调节机构为固定连接在调谐盘50上且伸出到腔盖10外部的连杆40。

本实施例中，谐振子30为圆柱形，且中间设有一个共中心轴的第一通孔，且谐振子30的高度大约在谐振腔的二分之一到五分之一之间例如三分之一左右，且位于谐振腔正中间(底部可通过透波材料如氧化铝支撑起来，图中未示出)，即谐振子的中心与谐振腔的中心共点，以便形成TE模式的电磁场。调谐盘50正对着谐振子30，即调谐盘50平行于或垂直于谐振子30的轴线。调谐盘50为圆盘形，且圆盘的外径与谐振子30的圆柱外径相同；调谐盘50上设有第二通孔51，且第二通孔51与谐振子30的第一通孔共中心轴且内径相等。因此，调谐盘50具有与谐振子30相同的形状，只是高度不同，因此能调谐盘50附近将形成与谐振子30相同模式即TE01d模式的模场。为了调节频率而又不影响到谐振子30对模式的作用，且减小金属产生的损耗，调谐盘50的厚度小于所述谐振子30的高度，优选小于后者的7至8分之一甚至更小。另外，调谐盘50可以采用与谐振子30相同的介质材料如陶瓷，为了增大调节效果，优选金属材料例如银、铜、金等。