[发明专利]一种抗辐射涂布膜的制备方法无效
申请号: | 201210049298.6 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN102675671A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 金国华 | 申请(专利权)人: | 苏州金海薄膜科技发展有限公司 |
主分类号: | C08J7/04 | 分类号: | C08J7/04;C09J7/02;C09J133/00;C09J171/00;C09J167/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 215400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辐射 涂布膜 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种抗辐射涂布膜的制备方法。
背景技术
随着电子科技的蓬勃发展,使得例如手机、MP4、MP5、相机、数码摄影机、笔记本电脑等电子产品的推陈出新。为了避免电子产品屏幕表面受到刮伤或磨损,影响使用,另外能屏蔽电磁波和消除静电,一般会在电子产品的屏幕表面贴上屏幕保护膜。
屏幕保护膜的抗辐射层一般采用高温溅射法、蒸镀法或化学沉积法与PET基膜结合,然而溅射的方法制备工艺复杂,且溅射工艺需要在高温条件下才能完成,导致设备和产品成本都很高;蒸镀法虽然生产成本较高温溅射法低,但其不适用于难熔金属和耐高温的介质材料,所以使用受到限制;化学沉积法对于基体表面上晶核的生产和长大速度不能控制,因此制备理想的、复杂组成的薄膜材料较为困难,产品性能不高。
发明内容
发明目的:为了解决现有技术的不足,本发明提供了一种抗辐射涂布膜的制备方法,该方法工艺简单,生产成本低廉,且采用该方法生产的产品质量性能优异。
技术方案:为了实现以上目的,本发明所述的抗辐射涂布膜的制作方法具体步骤如下:将透明薄膜基片进行表面处理,在处理面上涂布复合胶层;向平均粒径为15nm~300nm的混合纳米粉体中加入分散剂经砂磨机砂磨分散成悬浮液;将所述的悬浮液涂布在透明薄膜基片的复合胶层面上,最后固化成膜即得抗辐射涂布膜。
所述的固化成膜步骤为:将涂有所述混合纳米粉体的透明薄膜基片放在60℃~120℃温度下预热1~2min后放置在紫外线固化装置下固化1~30s。
所述的固化成膜步骤为:将涂有所述混合纳米粉体的透明薄膜基片放置在温度为60℃~150℃的烘箱中1~2min。
所述的混合纳米粉体为纳米金属、纳米氧化物、纳米氮化物、纳米碳化物、纳米氟化物、纳米硫化物、纳米锑化物、纳米晒化物、纳米碲化物等纳米材料中的任意一种或任意两种以上无机化合物的组合。
所述的将透明薄膜基片进行表面处理包括除尘、除静电及电晕处理。
所述的复合胶层为热固化树脂,所述的热固化树脂为丙烯酸热固化树脂、羟基丙烯酸树脂、聚醇树脂、脂肪族饱和聚酯树脂中的一种。
所述的悬浮液涂布方法为网纹辊涂布法。
有益效果:本发明与现有技术相比具有以下优点:采用本方法生产抗辐射涂布膜,涂料化合物形成的涂层均匀、厚度可控性好且膜层间附着力更好,产品质量性能优异;本方法工艺简单、效率高、成本较低,可实现工业化大规模生产。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
原料来源:
纳米氧化铟锡粉体:北京特保导电粉体材料发展中心
的纳米二氧化硅粉体:上海伊曼纺织化工有限公司
纳米氧化锌粉体:涟水县依顺环保有限公司
纳米氟化镁粉体:安徽巢东水泥股份有限公司
纳米银粉体:安徽巢东水泥股份有限公司
纳米碲化镉粉体:宁波化工原料公司
纳米铝粉体:宁波市化工原料有限公司
纳米金粉体:宁波市化工原料有限公司
纳米四氧化三铁粉体:北京特保导电粉体材料发展中心
纳米氮化钛:上海伊曼纺织化工有限公司
聚醇树脂DH6060:丹阳市润驰涂料有限公司
羟基丙烯酸树脂JM8157A:江阴三友化工有限公司
丙烯酸热固化树脂JM1625A:江阴三友化工有限公司
分散剂:高分子羧酸聚合物 聚羧酸钠盐HT-5040 宁波洪大进出口有限公司
实施例1:
通过专用光学薄膜涂布机将PET薄膜放卷张紧、除尘、除静电并电晕处理后,在处理面上涂布复合胶层聚醇树脂;向平均粒径为40nm纳米氧化铟锡粉体和平均粒径为100nm的纳米二氧化硅粉体的混合纳米粉体中加入聚羧酸钠盐HT-5040经砂磨机砂磨分散成悬浮液;将该悬浮液采用网纹辊涂布法涂布在PET薄膜的复合胶层面上,最后将涂有所述混合纳米粉体的PET薄膜放在60℃温度下预热1后放置在紫外线固化装置下固化15s,即得抗辐射涂布膜。
经测试,该膜的抗紫外线达99%;膜的中间部分未出现任何颗粒;经抗磨性测试,试样前后的雾度差小于4%。
实施例2:
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