[发明专利]生长在模板上以减小应变的III-氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201210049139.6 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102544286A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | P.N.格里洛特;N.F.加德纳;W.K.戈茨;L.T.罗马诺 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/18 | 分类号： | H01L33/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汪扬;刘鹏 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 模板 减小 应变 iii 氮化物 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1. 一种半导体发光器件，包括：III-氮化物结构，包括：第一层，其中该第一层没有铟；在所述第一层上生长的第二层，其中该第二层是包括铟的非单晶层；在所述第二层上生长的器件层，该器件层包括在n型区和p型区之间设置的III-氮化物发光层；和在所述第二层和发光层之间设置的并且与所述第二层直接接触的第三层，其中所述第三层是包括铟的非单晶层。
2. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二层具有与所述第三层不同的铟组分。
3. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二层是渐变层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，未经皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210049139.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双密度鞋底及其制作方法
- 下一篇：摩托车的车架
