[发明专利]用低压冷焊制作装置的方法有效
申请号: | 201210029472.0 | 申请日: | 2003-12-02 |
公开(公告)号: | CN102544367A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 金昌淳;斯蒂芬·R·弗瑞斯特 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿大学理事会 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 冷焊 制作 装置 方法 | ||
本申请是申请号为200380109468.4、申请日为2003年12月2日、发明名称为“用低压冷焊制作装置的方法”的发明专利申请的分案申请。
交叉参考相关申请
本申请要求2002年12月20日申请的美国临时申请No.60/435,350的优先权,这里引用该申请全文,供参考。本申请的主题与美国专利No.6,468,819、美国专利No.6,407,408、目前待决的专利申请序号No.09/802,977、No.09/833,695、和No.09/899,850等有关,这里引用所有这些专利申请全文,供参考。
技术领域
本发明涉及一种制作装置的方法,更具体说,是涉及把金属或有机层,从已刻图的印模到基片的转印。
背景技术
几乎所有电子的和光学的装置,都要求刻图操作(patterning)。在形成各种这类装置中,使用已刻图的(patterned)金属。例如,可以在晶体管的形成中,使用已刻图的金属,作为各种装置中的电极,及作为对各种材料刻图操作的荫罩。刻图的金属的一种可能使用,是作为有机发光装置(OLED)中的电极,这种OLED使用在电流激发下发光的薄膜。一般的OLED配置包括:双异质结构、单异质结构、和单层,但也可以是叠层,如在美国专利No.5,707,745中所述,本文引用该专利全文,供参考。
最好是,在实现新的和改进的装置类型时,例如平的平面显示器时,使用亚微米结构的刻图操作。
对那些只从装置底部发出光发射的OLED,就是说,只通过装置的基片一侧发出光发射的OLED,下电极可以使用透明的阳极材料,例如氧化铟锡(ITO)。因为这种装置的上电极不一定必须透明,这样的上电极,通常是阴极,可以包括有高导电率的厚的反射金属层。相反,对透明或顶部发射的OLED,可以使用如美国专利No.5,703,436和No.5,707,745公开的透明阴极。与透明的或底部发射OLED不同,顶部发射的OLED是一种可以有不透明和/或反射的基片,使光只从装置顶部产生而不通过基片,或者可以是全透明的OLED,既从顶部也从底部发射。
本文使用的“有机材料”一词,包括聚合物及可以用于制作OLOED的小分子材料。OLED的有机材料对常规的半导体处理非常敏感,并可以被常规的半导体处理破坏。例如,任何暴露在高温中或化学处理中,可以破坏有机层,并对装置的可靠性有不利影响。
发明内容
本发明的一个实施例,针对一种制作装置的方法,通过把金属层淀积在已刻图的印模上,然后把金属层从该已刻图的印模,转印到基片上。该已刻图的印模最好是软的、弹性体印模。
本发明的一个实施例,还针对一种制作装置的方法,通过把一种或多种有机层淀积在已刻图的印模上,然后把有机层从已刻图的印模,转印到基片上。已刻图的印模最好是软的、弹性体印模。金属和有机层的组合,也可以从已刻图的印模转印到基片上。
本发明的一个实施例,包括把淀积的金属层,通过冷焊,从已刻图的印模转印到基片上。按照该实施例,可供选择地把冲压层淀积在基片上,还要获得有金属层淀积在印模上的已刻图的印模。然后把印模压在基片上,使已刻图印模上的金属层,与冲压层或其他下面的层的各部分接触,并施加足够的压力,把金属层冷焊到冲压层或其他下面的层。移开刻图的印模,被冷焊到冲压层或其他下面层的金属层各部分,基本上保持与已刻图的印模相同的图形从印模剥离,仍然冷焊在冲压层或基片上。
本发明的另一个实施例,包括把淀积的有机层,通过冷焊,从已刻图的印模转印到基片上。按照该实施例,可供选择地把冲压层淀积在基片上,还要获得有有机层淀积在印模上的已刻图的印模。然后把印模压在基片上,使已刻图的印模上的有机层,与冲压层的各部分或基片接触,并施加足够的压力,把有机层“冷焊”到冲压层或基片。移开已刻图的印模,“已冷焊”到冲压层或基片的有机层各部分,基本上保持与已刻图的印模相同的图形从印模剥离,仍然附着在冲压层或基片上。
附图说明
图1是示意图,画出按照本发明的一个实施例把刻图的金属转印的处理流程。
图2画出通过低压冷焊的有机电子装置的阴极刻图操作。
图3表明金属图形转印前(a、b)和转印后(c),印模的扫描电子显微镜(SEM)像。
图4画出制作有机电子集成电路的卷筒到卷筒处理流程的例子,在该处理流程中可以采用本发明的方法。
图5画出PDMS印模的形成,并画出一种按照本发明的一个实施例,使用该印模把金属转印到基片的方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择