[发明专利]一种钐钴与铁钴复合磁体的制备方法有效
| 申请号： | 201210018124.3 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN103219145A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 杨金波;韩景智;林忠;夏元华;刘顺荃;杨应昌 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/047;B22F9/04;B22F1/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 磁体 制备 方法 | ||
1.一种钐钴与铁钴复合磁体的制备方法，包括以下步骤：
1)熔炼钐铜合金，将其甩带成为薄带，随后破碎成粉；
2)熔炼铁钴合金，退火处理后破碎成粉；
3)将步骤1)获得的钐铜粉末与步骤2)获得的铁钴粉末混合；
4)将混合后的粉末在真空中退火，获得所述复合磁体。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述钐铜合金的成分为SmxCu1-x，其中0.50＜x＜0.80。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述钐铜合金为钐铜共晶合金。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述铁钴合金成分为FeyCo1-y，其中0.40＜y＜0.90。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中的甩带速度为10～60m/s。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)和2)中采用电弧熔炼或感应熔炼的方法熔炼合金，使用球磨法破碎合金，破碎形成的粉末粒度为1～20微米。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)退火处理在10-2～10-4Pa真空条件下进行，退火温度为800～1200℃，退火时间为1～30小时。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3)混合粉末中钐铜粉末所占质量分数为5％～50％。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4)在10-2～10-4Pa真空条件下进行退火，退火温度为600～800℃，退火时间为0.5～5小时。
10.一种钐钴与铁钴复合磁体，是通过权利要求1～9任一所述的制备方法制备的复合磁体。
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