[发明专利]共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构无效
申请号: | 201210014708.3 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN102723418A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 许并社;李学敏;刘旭光 | 申请(专利权)人: | 许并社;李学敏;刘旭光 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44 |
代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人: | 朱源 |
地址: | 030024 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共形涂布 具有 荧光 特性 钝化 白光 led 芯片 结构 | ||
1.一种共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构,其特征在于:包括具有散热特性的次级基板(1)、蓝宝石基板(2)、N型氮化镓外延层(3)、多层量子阱氮化铟镓主动层(4)、P型氮化镓外延层(5)、氧化铟铽荧光钝化层(6)、负电极金属层(7)、以及正电极金属层(8);其中,蓝宝石基板(2)堆栈于具有散热特性的次级基板(1)上;N型氮化镓外延层(3)堆栈于蓝宝石基板(2)上;多层量子阱氮化铟镓主动层(4)堆栈于N型氮化镓外延层(3)上,且N型氮化镓外延层(3)部分曝露于多层量子阱氮化铟镓主动层(4)外;P型氮化镓外延层(5)堆栈于多层量子阱氮化铟镓主动层(4)上;氧化铟铽荧光钝化层(6)堆栈于N型氮化镓外延层(3)的曝露部分和P型氮化镓外延层(5)上,且氧化铟铽荧光钝化层(6)沉积于蓝宝石基板(2)的侧壁、N型氮化镓外延层(3)的侧壁、多层量子阱氮化铟镓主动层(4)的侧壁、P型氮化镓外延层(5)的侧壁;负电极金属层(7)堆栈于N型氮化镓外延层(3)的曝露部分上;正电极金属层(8)堆栈于P型氮化镓外延层(5)上,且正电极金属层(8)与氧化铟铽荧光钝化层(6)连接。
2.根据权利要求1所述的共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构,其特征在于:所述具有散热特性的次级基板(1)是采用铜或氮化铝或硅制成的。
3.根据权利要求1或2所述的共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构,其特征在于:所述蓝宝石基板(2)是采用蓝宝石制成的。
4.根据权利要求1或2所述的共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构,其特征在于:所述氧化铟铽荧光钝化层(6)是采用氧化铟和铽制成的。
5.根据权利要求3所述的共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构,其特征在于:所述氧化铟铽荧光钝化层(6)是采用氧化铟和铽制成的。
6.根据权利要求4所述的共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构,其特征在于:氧化铟和铽的比例范围为95:5-5:95。
7.根据权利要求5所述的共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构,其特征在于:氧化铟和铽的比例范围为95:5-5:95。
8.根据权利要求1或2所述的共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构,其特征在于:所述氧化铟铽荧光钝化层(6)是利用电子束蒸镀系统以共形涂布方式制备而成的。
9.根据权利要求3所述的共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构,其特征在于:所述氧化铟铽荧光钝化层(6)是利用电子束蒸镀系统以共形涂布方式制备而成的。
10.根据权利要求7所述的共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构,其特征在于:所述氧化铟铽荧光钝化层(6)是利用电子束蒸镀系统以共形涂布方式制备而成的。
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