[发明专利]一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及介电陶瓷材料，特别涉及一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法。

背景技术

现有中高介电常数低温共烧陶瓷材料(Low-temperature cofired ceramics，缩略词为LTCC)材料的电性能与工艺特性有待进一步改善，普遍存在以下问题：1)烧结温度过高，难以实现900℃以下低温烧结；2)频率温度系数较大或品质因数较低，不能满足高频器件的要求；3)介电常数稳定性较差，不能满足高频器件小型化要求；4)与银电极共烧性能不够稳定，共烧性能较差；5)流延浆料制备困难，流延生瓷带共烧后电磁性能下降；6)瓷体脆性较大，难以满足器件的强度要求等。

发明内容

本发明所要解决的一个技术问题是弥补上述现有技术的缺陷，提供一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料。

本发明所要解决的另一个技术问题是弥补上述现有技术的缺陷，提供一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法。

本发明的中高介电常数低温共烧陶瓷材料技术问题通过以下技术方案予以解决。

本发明提供了一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料，包括陶瓷主相和助熔料，其特征在于，所述陶瓷主相的组分及其重量百分比如下：

Nb₂O₅                             15～35％；

ZnO                               10～25％；

BaO                               10～25％；使用相同物质量的BaCO₃；

TiO₂                              10～20％；

ZrO₂                              1～10％；

Sm₂O₃                             1～8％；

La₂O₃                             余量；

所述助熔料的组分及其重量百分比如下：

SnO₂                              5～10％；

CuO                               5～10％；

SiO₂                              5～10％；

B₂O₃                              1～5％。

本发明的中高介电常数低温共烧陶瓷材料技术问题通过以下进一步的技术方案予以解决。

所述陶瓷主相还包括组分及其重量百分比如下：

Al₂O₃                             0～5％。

所述助熔料还包括组分及其重量百分比如下：

LiF                    0～5％。

本发明的中高介电常数低温共烧陶瓷材料制备方法技术问题通过以下技术方案予以解决。

这种中高介电常数低温共烧陶瓷材料制备方法，依次包括以下步骤：

1)制得一次陶瓷材料混合物

将陶瓷主相的组分Nb₂O₅、ZnO、BaO、TiO₂、ZrO₂、Sm₂O₃、La₂O₃和Al₂O₃按照以下重量百分比混合，制得一次陶瓷材料混合物，所述陶瓷主相的组分及其重量百分比如下：

Nb₂O₅                           15～35％；

ZnO                             10～25％；

BaO                             10～25％；使用相同物质量的BaCO₃；