[发明专利]一种侧面泵浦圆棒状自倍频晶体激光器

权利要求书

1.一种侧面泵浦圆棒状自倍频晶体激光器，其包括：圆棒状自倍频晶体、泵浦源、激光谐振腔及冷却散热装置；所述散热装置包括泵浦源散热装置和晶体散热装置；

所述泵浦源为位于所述圆棒状自倍频晶体侧面的半导体二极管泵浦源，所述泵浦源被固定在泵浦源散热装置上；所述泵浦源发出的泵浦光从圆棒状自倍频晶体侧面进入并被吸收；

激光谐振腔由分别位于所述圆棒状自倍频晶体两个端面外侧的激光腔镜A和激光腔镜B组成，或由直接镀在所述圆棒状自倍频晶体两个端面上的激光腔镜膜组成；

所述晶体散热装置设有冷却液体入口和冷却液体出口，冷却液由冷却液体入口进入，流过圆棒状自倍频晶体侧面，通过热交换带走圆棒状自倍频晶体内产生的热量，再从冷却液体出口流出；所述晶体散热装置在圆棒状自倍频晶体侧面与泵浦源之间部分为透光结构，以密封冷却液并使泵浦源发出的泵浦光透过。

2.根据权利要求1所述的侧面泵浦圆棒状自倍频晶体激光器，其特征在于，所述圆棒状自倍频晶体为掺钕四硼酸钇铝自倍频晶体、掺镱四硼酸钇铝自倍频晶体、掺钕三硼酸钙氧钆自倍频晶体、掺钕三硼酸钙氧钇自倍频晶体、掺镱三硼酸钙氧钆自倍频晶体、掺镱三硼酸钙氧钇自倍频晶体或掺铒三硼酸钙氧钇自倍频晶体。

3.根据权利要求1所述的侧面泵浦圆棒状自倍频晶体激光器，其特征在于，所述棒状自倍频晶体的直径为2～10mm，长度为10～80mm，切割角度为该自倍频晶体的相位匹配方向。

4.根据权利要求2所述的侧面泵圆形浦棒状自倍频晶体激光器，其特征在于，所述圆棒状自倍频晶体为整块相同掺杂浓度的晶体，或为在所述圆棒状自倍频晶体两个端面键合纯基质材料的晶体。

5.根据权利要求1所述的侧面泵浦圆棒状自倍频晶体激光器，其特征在于，所述的泵浦源为m×n个，m为泵浦源围数，所述泵浦源围数是指环绕圆棒状自倍频晶体一圈均匀放置m个泵浦源；n是泵浦源列数，所述泵浦源列数是指所述圆棒状自倍频晶体一侧放置n个泵浦源。

6.根据权利要求1所述的侧面泵浦圆棒状自倍频晶体激光器，其特征在于，所述激光谐振腔镜A和激光谐振腔镜B为平凹镜、平平镜或平凸镜；

所述激光谐振腔镜A上的激光腔镜膜与镀于所述圆棒状自倍频晶体一端面上的激光腔镜膜均为对于基频激光和倍频激光的R＞99％双高反膜；所述激光谐振腔镜B上的激光腔镜膜与镀于所述圆棒状自倍频晶体另一端面上的激光腔镜膜为对于基频激光R＞99％高反膜和对于倍频激光T＞90％高透膜。

7.根据权利要求1所述的侧面泵浦圆棒状自倍频晶体激光器，其特征在于，还包括放置于所述圆棒状自倍频晶体侧面非泵浦光入射部位的聚光腔，以将散射或未吸收而透过的泵浦光收集并汇聚到所述圆棒状自倍频晶体内再次吸收。