[发明专利]碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法及其使用的石墨导电膏无效
申请号: | 201210004948.5 | 申请日: | 2012-01-10 |
公开(公告)号: | CN103198875A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 牛学鹏;辜琼谊;杨培 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01B1/10 | 分类号: | H01B1/10;H01B1/04;H01L31/0224;H01L31/18 |
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地址: | 214028 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碲化镉 薄膜 太阳能电池 制备 方法 及其 使用 石墨 导电 | ||
1.一种碲化镉薄膜太阳能电池用石墨导电膏,其特征在于:所述石墨导电膏主要由下列质量百分含量的材料组成:
CuxS 10~75%;
填充材料 25~90%;
其中,x大于或等于0.88,且小于或等于2;所述CuxS的粒径小于或等于0.5微米;所述填充材料的粒径为0.005~0.9微米;所述填充材料为石墨或/和炭黑。
2.根据权利要求1所述的石墨导电膏,其特征在于:所述CuxS为Cu2S、Cu1.95S、Cu1.75S或者CuS。
3.根据权利要求1所述的石墨导电膏,其特征在于:所述石墨导电膏中还含有质量百分含量为1~10%的碲粉、质量百分含量为0.5~9%含汞化合物以及质量百分含量为0.1~15%的分散剂;其中,所述分散剂为邻苯二甲酸酯和乙二醇酯中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的石墨导电膏,其特征在于:所述含汞化合物为碲化汞、氧化汞、硫化汞、氯化汞、硫酸汞或硝酸汞。
5.一种使用如权利要求1所述石墨导电膏制备碲化镉薄膜太阳能电池的方法,包括形成一碲化镉层,其特征在于:在所述碲化镉层的一侧面覆盖厚度为0.5~3微米的石墨导电膏,干燥后在退火炉中,200~300℃温度条件下热处理5~60分钟;其中,所述石墨导电膏主要由下列质量百分含量的材料组成:
CuxS 10~75%;
填充材料 25~90%;
其中,x大于或等于0.88,且小于或等于2;所述CuxS的粒径小于或等于0.5微米;所述填充材料的粒径为0.005~0.9微米;所述填充材料为石墨或/和炭黑。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:所述石墨导电膏中还含有质量百分含量为0.1~15%的分散剂,该分散剂为邻苯二甲酸酯和乙二醇酯中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:所述石墨导电膏中还含有质量百分含量为1~10%的碲粉。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:所述石墨导电膏中还含有质量百分含量为0.5~9%含汞化合物。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:所述含汞化合物为碲化汞、氧化汞、硫化汞、氯化汞、硫酸汞或硝酸汞。
10.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:所述石墨为氧化石墨。
11.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:所述CuxS为Cu2S、Cu1.95S、Cu1.75S或者CuS。
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