[发明专利]一种平面型双向触发二极管芯片制造方法

权利要求书

1.一种平面型双向触发二极管芯片制造方法，以厚度100-300μm的P型晶片为原料，在晶片表面生长氧化层、光刻扩散窗口和将晶片切割为芯片的工序，其特征在于，在所述光刻扩散窗口和将晶片切割为芯片的工序之间包括如下工序：

1）扩散窗口下沉；在扩散窗口中注入混酸，对扩散窗口中的晶片表面进行腐蚀，腐蚀深度以所述晶片表面为基准面，下沉5~40μm；

2）磷扩散；将上步骤制得的晶片清洗，再放入扩散炉中进行磷扩散；在晶片本体纵截面上形成N+、P、N+区域，同时在所述晶片本体氧化层表面下形成反型层；

3）去除表面反型层；第一、去除上步骤制得晶片表面的氧化层；第二、去除所述晶片本体氧化层表面下形成反型层；由于步骤1）扩散窗口下沉，在前述第二步去除反型层时，所述下沉的扩散窗口会进一步下沉，形成下沉窗口；

4）高温驱进杂质并生长二氧化硅钝化膜层；在1000-1270℃环境下生长一层二氧化硅钝化膜层以保护PN+结；在此温度下，同时驱进磷杂质，推PN+结深至40-80μm；由于均匀生长二氧化硅钝化膜层，在所述生长有二氧化硅钝化膜层的本体表面仍显现下沉窗口轮廓；

5）光刻金属电极窗口；沿所述下沉窗口轮廓，进行金属电极窗口光刻；在晶片表面形成金属电极窗口；

6）镀镍金；在金属电极窗口底面镀上镍金层，作为金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种平面型双向触发二极管芯片制造方法，其特征在于，还包括在所述金属电极上设置凸点的工序，所述设置凸点的工序为：在所述金属电极表面增设凸出于晶片表面的由焊锡凝固形成的凸点。

3.根据权利要求1所述的一种平面型双向触发二极管芯片制造方法，其特征在于，还包括在所述金属电极上设置凸点的工序，所述设置凸点的工序为：在所述金属电极表面增设凸出于晶片表面的由电镀银形成的凸点。