[发明专利]一种光纤用四氯化锗的制备提纯方法无效
申请号: | 201110451640.0 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN103183375A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 袁琴;武鑫萍;刘福财;莫杰;耿宝利 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司 |
主分类号: | C01G17/04 | 分类号: | C01G17/04 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 郭佩兰 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光纤 氯化 制备 提纯 方法 | ||
技术领域
本发明属化工技术领域,具体涉及一种光纤用四氯化锗的制备提纯方法。
背景技术
光纤通讯是当今世界上最先进的通讯技术。光纤通讯具有容量大、频带宽、抗干扰、保密性和可靠性强、稳定性好、损耗低以及体积小、质量轻、成本低、中继距离长等优点。而四氯化锗是制造通讯光纤的关键基础材料之一,在光纤制造中,四氯化锗是光纤预制棒生产中的重要掺杂剂,其作用是提高纤芯的折射指数,降低光损耗,进而提高光纤的传输距离。因此对四氯化锗纯度的要求也越来越高。从粗的GeCl4和含杂质的GeCl4中提纯为精GeCl4的提纯技术,主要是改进排除As和其他杂质的工艺。目前国内外采用液-液萃取或者氢氧化铵纯化法的方法制备较纯的GeCl4。
液-液萃取利用GeCl4种As及其它杂质在酸性溶液中有相对较高的溶解度的特点,使用含饱和Cl2的盐酸作为溶剂,选择性地提取和As其它杂质如锑、镓、硅、硼及铝。其工艺过程是让气态GeCl4进入装有浓盐酸水溶液的洗涤反应器,保持稍高于GeCl4沸点的温度并保持Cl2饱和,在洗涤柱中,气态GeCl4自下而上,饱和的盐酸自上而下,使饱和盐酸溶液吸收粗GeCl4中的杂质,从而获得高纯度的GeCl4。但由于溶剂的效果由其纯度决定,因此要得到高纯度的GeCl4就必须使用大量的新酸,并且在萃取期间要保持液相较低的温度,这样的制备技术处理费用较高,又很难精确控制液相的温度,降低了生产效率,使GeCl4产量降低,成本增加,不适用于大规模的企业生产。
氢氧化铵纯化法是将粗GeCl4用碱性氢氧化铵溶液处理,然后再进行蒸馏,得到纯净的产品。其工艺过程是使GeCl4中的杂质氯化物发生水解反应,生成相应的氧化物,而氢氧化铵水解后转化成氯化按。再下一步的蒸馏过程中,氯化铵较易挥发,杂质氧化物留在蒸馏釜底。这种方法虽使用高浓度的碱液,但GeCl4仍会发生少量水解生成GeO2,使GeCl4的总量减少,生产效率较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光纤用四氯化锗的制备提纯方法,获得的GeCl4中金属杂质含量小于3ppb,含氢杂质小于1ppm,完全满足光纤用四氯化锗的要求,本工艺条件稳定,工艺过程容易控制,生产效率较高,适合企业大规模生产应用。
为达到上述的发明目的,本发明采用以下技术方案:
这种光纤用四氯化锗的制备和提纯方法,其特征在于:它包括以下步骤:
1)、将锗精矿、工业盐酸、工业硫酸、三氯化铁,按照比例加入氯化蒸馏釜中,经过加热,发生反应,得到气体四氯化锗,气体冷凝为液体粗四氯化锗;
2)、将粗四氯化锗、分析纯盐酸、二氧化锰按照比例加入,一次复蒸反应釜中混合进行简单蒸馏,经一次复蒸的四氯化锗进入二次复蒸釜中与分析纯盐酸、二氧化锰混合后,经过初步提纯蒸馏,得到四氯化锗,四氯化锗中的金属杂质含量小于10ppb;
3)、经过复蒸提纯四氯化锗在石英精馏塔中,在惰性气氛下,通过控制釜温75~95℃、柱温30~95、回流比4∶1~14∶1、压力9.0×104Pa~9.9×105Pa(绝对压力)。进行精馏提纯,得到四氯化锗,四氯化锗中金属杂质含量小于3ppb,含氢杂质含量小于1ppm。
氯化蒸馏可选用500L搪瓷反应釜,锗精矿、工业盐酸、工业浓硫酸、三氯化铁、的比例:锗精矿加入量为60~100公斤,工业盐酸400-450L,硫酸10-20L,三氯化铁为15~35公斤。
复蒸蒸馏可选用50L耐酸搪瓷反应釜,回流塔选用石英筛板塔,四氯化锗和浓盐酸用量的体积比为1∶1~2升,二氧化锰为30克~100克/L四氯化锗。
精馏提纯主体设备选用石英塔,包括石英塔釜、石英塔柱、石英冷凝塔头。
本发明光纤用四氯化锗的工艺方法包括:氯化蒸馏、复蒸蒸馏、精馏提纯三个具体工艺过程。
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