[发明专利]高频信号传输装置、高频信号传输系统和基站有效

专利信息
申请号: 201110446502.3 申请日: 2011-12-28
公开(公告)号: CN102610973A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 蒲涛;何平华;范一鹏;孙德文 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01R24/40 分类号: H01R24/40;H01R13/40;H01R13/02;H01R13/648
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 高频 信号 传输 装置 系统 基站
【权利要求书】:

1.一种高频信号传输装置,其特征在于,包括:至少一对可插拔连接的第一器件和第二器件;所述第一器件包括第一内导体和第一外导体,所述第二器件包括第二内导体和第二外导体;

所述第一内导体和所述第二内导体对应设置,所述第一内导体和所述第二内导体之间设有第一绝缘介质,以使所述第一内导体和所述第二内导体构成用于传输高频信号的第一耦合结构;所述第一外导体和所述第二外导体对应设置,所述第一外导体和所述第二外导体之间设有第二绝缘介质,以使所述第一外导体和所述第二外导体构成用于传输高频信号的第二耦合结构。

2.根据权利要求1所述的高频信号传输装置,其特征在于,所述第一器件还包括第一接地层,所述第一外导体与所述第一接地层连接;所述第二器件还包括第二接地层,所述第二外导体与所述第二接地层连接。

3.根据权利要求2所述的高频信号传输装置,其特征在于,所述第一内导体与所述第一接地层或第一外导体之间通过第三绝缘介质连接,以使所述第一内导体和所述第一外导体形成第一传输线;和/或,所述第二内导体与所述第二接地层或第二外导体之间通过第四绝缘介质连接,以使所述第二内导体和所述第二外导体之间形成第二传输线。

4.根据权利要求1-3任一项所述的高频信号传输装置,其特征在于,所述第一绝缘介质设置在所述第一内导体上,且所述第一绝缘介质中开设至少一个孔槽,所述第二内导体上设有至少一个针,所述针被包裹于所述孔槽中。

5.根据权利要求2或3所述的高频信号传输装置,其特征在于,所述第一外导体和所述第一接地层连接形成平板结构;

所述第二接地层为平板结构,所述第二外导体设置在所述第二接地层上,且所述第二外导体呈套筒结构并围设在所述第二内导体外围。

6.根据权利要求5所述的高频信号传输装置,其特征在于,所述第二绝缘介质设置在所述第一外导体中面向所述第二外导体的表面上、且与所述第二外导体对应设置。

7.根据权利要求2或3所述的高频信号传输装置,其特征在于,所述第一接地层为平板结构,所述第一外导体设置在所述第一接地层上、且所述第一外导体呈套筒结构;

所述第二接地层为平板结构,所述第二外导体设置在所述第二接地层上,且所述第二外导体呈套筒结构并围设在所述第二内导体外围;

所述第一器件和所述第二器件插接时,所述第一外导体围设在所述第二外导体的外围,或者,所述第二外导体围设在所述第一外导体的外围。

8.根据权利要求2或3所述的高频信号传输装置,其特征在于,所述第一接地层为平板结构,所述第一外导体设置在所述第一接地层上、且所述第一外导体呈双层套筒结构;

所述第二接地层为平板结构,所述第二外导体设置在所述第二接地层上,且所述第二外导体呈套筒结构、围设在所述第二内导体外围;所述第一器件和所述第二器件插接时,所述第二外导体位于所述第一外导体所呈的双层套筒之间;

或者,所述第一接地层为平板结构,所述第一外导体设置在所述第一接地层上、且所述第一外导体呈套筒结构;所述第二接地层为平板结构,所述第二外导体设置在所述第二接地层上,且所述第二外导体呈双层套筒结构、围设在所述第二内导体外围;所述第一器件和所述第二器件插接时,所述第一外导体位于所述第二外导体所呈的双层套筒之间。

9.根据权利要求1-3任一项所述的高频信号传输装置,其特征在于,所述第一绝缘介质为圆柱体、且设置在所述第一内导体上,所述第二内导体呈套筒结构;所述第一器件和所述第二器件插接时,所述第二内导体围设在所述第一绝缘介质外围。

10.根据权利要求1-3任一项所述的高频信号传输装置,其特征在于,所述第二内导体靠近第一内导体的一端呈套筒结构,所述第一内导体靠近第二内导体的一端为外径与所述第二内导体呈套筒结构的一端的内径尺寸相当的圆柱体、且所述第一绝缘介质包裹在所述圆柱体外围;所述第一器件和所述第二器件插接时,所述第二内导体围设在所述第一绝缘介质外围。

11.根据权利要求2或3所述的高频信号传输装置,其特征在于,所述第一外导体和所述第一接地层连接形成平板结构,所述第二外导体和所述第二接地层连接形成平板结构,所述第二内导体所呈的套筒侧面边缘与所述第二外导体和所述第二接地层连接形成的平板结构连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110446502.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top