[发明专利]显示重掺P型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液及其应用有效
| 申请号： | 201110366137.5 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102425011A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;徐涛;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C23F1/24 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 型直拉硅单晶 空洞 缺陷 腐蚀 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种显示重掺P型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液，其特征在于，由摩尔浓度为0.25～0.35mol/L的三氧化铬溶液和质量浓度为40％～49％的氢氟酸按体积比1∶2～1∶1混合制成。
2.根据权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，所述三氧化铬溶液的摩尔浓度为0.3～0.35mol/L。
3.如权利要求1或2所述的腐蚀液在显示重掺P型直拉硅单晶空洞型缺陷中的应用。
4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述的重掺P型直拉硅单晶的掺杂浓度为2.8×1018～4.5×1019cm-3。
5.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述的重掺P型直拉硅单晶的电阻率为2.5～19.4mΩ·cm。
6.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述的重掺P型直拉硅单晶为掺硼直拉硅单晶。
7.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，包括以下步骤：
(1)用RCA标准清洗液清洗硅片；
(2)将硅片置于权利要求1或2所述的腐蚀液中，静止15～60min；
(3)取出硅片，用去离子水清洗后显像。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述腐蚀液的温度为25～35℃。
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